无论是SK海力士或是三星都将於2024年全力往HBM和LLW DRAM的AI记忆体商机前进 https://bit.ly/41bAcVS 对於记忆体业者来说，AI正在驱动高阶DRAM的需求，也在改变记忆体业者研发的方向。例 如：随着AI伺服器对於记忆体晶片需求提高，特别是高频宽记忆体（HBM），使得海力士 从2023年第二季就受惠这一趋势转变。毕竟，记忆体是GPU和AI加速器的重要组成部分。 如今这一趋势开始吹向行动装置市场，即是装置上AI所需的记忆体。例如：为了支援苹果 Vision Pro内之R1晶片的高速处理，SK海力士开发了客制化的1GB DRAM。这一新的DRAM将 输入和输出引脚的数量增加了八倍，以最大限度地减少延迟。此类晶片也称为低延迟宽IO （Low Latency Wide IO）。更重要的是，新晶片似乎还采用特殊的封装方法（即是扇出 晶圆级封装）设计，作为一个单元连接到R1晶片组。 三星为了追赶SK海力士的脚步，预计於2024年推出专门用於装置上AI的LLW DRAM。根据三 星表示，LLW DRAM在处理即时数据方面比目前大多数行动装置中使用的LPDDR模组更有效 。也由於延迟较低，使得LLW DRAM非常适合游戏和人工智慧应用。 其实，三星最初是在2023年1月宣布了这项新的DRAM技术，後来又在10月重申了其能源效 率比普通 DRAM 提高70%，同时提高处理速度。三星为了提醒业界，於2023年11月底分享 了一段影片，展示了新型LLW DRAM的可能性。这段短影片展示了四种类型的装置，即可适 用於智慧型手机、笔记型电脑、游戏机以及可以从中受益的XR头戴式装置。在智慧型手机 上，LLW DRAM可能直接堆叠在应用处理器（AP）上方。 由於三星将於2024年下半年推出XR耳机。该产品由三星、高通和谷歌共同开发，可能会在 2024年7月或8月的Galaxy Z Fold 6和Galaxy Z Flip 6发布会期间正式发布。可想而知的 是，这款XR头戴式装置将会配备LLW DRAM。 由於苹果的R1晶片是采用了扇出晶圆级封装（FOWLP）技术。而且三星的Exynos 2400也是 使用这项封装技术。所以三星XR头戴式装置的应用处理器也可能采用扇出晶圆级封装技术 。 随着晶片产业正在跟随着AI爆发式的成长而寻求更多商机，SK海力士和三星有机会依赖 HBM和LLW DRAM而受惠。事实上，AI技术的不断增长、广泛的影响以及对晶片的旺盛需求 将在未来几年为该产业带来福音。从长远来看，AI是否能够抵消记忆体市场中更大的问题 还有待观察。不过，SK海力士、三星和美光等记忆体晶片生产商，势必於2024年全力抢夺 AI带来的新记忆体商机啊！ --

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