作者zxcvxx (zxcvxx)
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标题[新闻] 三星电子开发出第三代10奈米级DRAM
时间Fri Mar 22 14:16:04 2019
三星电子开发出第三代10奈米级DRAM
1.原文连结：
http://bit.ly/2FueZOU
2.原文内容：
据韩媒报导，三星电子已开发出业界首款第三代10奈米级（1z-nm）8 Gb双倍数据速率（
DDR4）DRAM，准备来抢DRAM高端市场。
该公司表示，开发10奈米级1z-nm 8 Gb DDR4，在不使用Extreme Ultra-Violet（EUV）处
理，它已经突破了DRAM扩展的极限；与之前版本的10-nm DRAM相比，新DRAM的制造生产率
提高了20％以上。同时，仅花了16个月就突破技术，将批量生产第二代10奈米级（1y-nm
）8 Gb DDR4提升到第三代10奈米级DRAM。
新的DRAM有望帮助三星增强其业务竞争力，巩固其在高端DRAM市场的领先地位，应用於包
括伺服器、图形和移动设备等。
三星特别强调，该基於第三代10-nm级（1z）DRAM的PC DDR4模块已达到所有全球中央处理
器（CPU）制造商的评估标准，能够满足全球IT客户需求。
三星计划在今年(2019)下半年批量生产该产品，以适应预计将於2020年推出的企业用下一
代伺服器和高端PC。该1z-nm DRAM也将为下一代DRAM接口（如DDR5，LPDDR5和GDDR6）的
过渡铺路，这些接口将为未来的数位化新兴产品提供服务。
目前，全球DRAM市场不佳，主要受到几个因素的影响：全球经济趋缓、美中贸易战、
Intel的CPU缺货问题未改善、智慧手机销售不如预期，再加上伺服器库存调整，消费者对
景气缺乏信心，这些因素，都影响到记忆体的市况。目前，美光已经宣布记忆体减产，以
缓和市场供过於求的问题。
3.心得/评论：
半导体周期低谷到来，DRAM全球市场营收大跌，先前三星传出将强化非记忆半导体业务。
目前各界分析师预估在2019年底半导体市场将回升。美光在21日宣布减产DRAM和NAND
Flash，而三星宣布开发第三代10奈米级DRAM，预估於2019年底量产，欲巩固其高端DRAM
市场。
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1F：推 wang111283: 烂苹果还在用4g ram荼毒果粉 03/22 14:23
2F：推 slutboy104: 果粉:体验好才重要 RAM多少不重要辣 03/22 14:34
3F：推 zephyr105: 炸 03/22 15:04
4F：推 simo520: 三星：我产更多了。 03/22 15:09
5F：→ simo520: 美光：干！ 03/22 15:09
6F：→ rtwodtwo: ***就为了跟GG拼代工 LP捏着也要继续微缩 03/22 15:50
7F：→ lookinto: 三星记忆体制程增进投资主要是要降低记忆体成本 增加获 03/22 16:08
8F：→ lookinto: 利 与别的记忆体竞争的竞争力 跟台积的代工没有直接相 03/22 16:08
9F：→ lookinto: 关 03/22 16:08
10F：推 samwu995: 记忆体养代工,这麽简单 03/22 16:39
11F：→ changmary: 单条ram可能就32g起跳了，ram装到1G应该能提早实现 03/22 17:45