作者me8z7gnk (SONG-SONG)
看板Examination
标题[课业] 电子学body effect跟短通道效应的问题
时间Thu Jul 30 13:17:42 2020
Body effect: 在body施加比S极更低的电压 空乏区往通道延伸
空乏区变大 使阀值电压(Vt)变大
short channel effect:在D极施加高电压 D极的空乏区变大
通道变短 使阀值电压(Vt)变小
疑问是:两者空乏区都会变大 通道变短
一个使Vt变高 一个使Vt变低
问一下差别在哪 希望高手解惑谢谢
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1F：推 a22222a4210: 一个是基板不是接地电位 一个是通道因为电压变大空乏 07/30 13:58
2F：→ a22222a4210: 区扩增使电子通道长度变短 07/30 13:59
3F：→ a22222a4210: 阿看错了 短通道是因为通道尺寸变小所以空乏区的占比 07/30 14:02
4F：→ a22222a4210: 相较长通道大 所以会明显影响Vt 07/30 14:03
5F：→ a22222a4210: 简单来说Body effect跟通道尺寸无关 短通道效应在通 07/30 14:04
6F：→ a22222a4210: 道很小的时候才会比较明显影响 详细的还是去看书吧 07/30 14:04
7F：→ a22222a4210: Neamen的书写的算白话也有中译版了 07/30 14:06
8F：→ me8z7gnk: 谢谢a大 我会再去看书 不过body effect会使空乏区变大 07/31 00:31
9F：→ me8z7gnk: 应该也会影响通道长度才对 这点还是不懂 07/31 00:32
10F：推 liushengzhe: 大概的讲法是： 07/31 08:06
11F：→ liushengzhe: 闸极不只要先能建立空乏区，而且要能控制与它下方整 07/31 08:06
12F：→ liushengzhe: 个空乏区电荷量相等的电荷，通道然後才能够建立，因 07/31 08:06
13F：→ liushengzhe: 此BE越严重，Vt值就越大。 07/31 08:06
14F：→ liushengzhe: 当汲极电压够大，汲极控制的空乏区就会深入闸极下方 07/31 08:06
15F：→ liushengzhe: 跟闸极争抢MOS的控制。此时元件长度若太短，闸极电 07/31 08:06
16F：→ liushengzhe: 压将无法完全控制MOS的关闭，而汲极空乏区够大，甚 07/31 08:06
17F：→ liushengzhe: 至延伸至源极空乏区，还导致DIBL，此时无需闸极，横 07/31 08:06
18F：→ liushengzhe: 向电场就足以让汲极直接从源极吸引载子造成漏电流， 07/31 08:06
19F：→ liushengzhe: 这就相当於是Vt值下降。 07/31 08:06
20F：→ me8z7gnk: 谢谢L大 讲法很合理 07/31 23:54