抱歉我以前复制完忘记出处了!!爬文之後好像原文删除了~~ 把他PO出来在给有需要的人吧^^"如果侵权请作者来信告知~~感恩 科目名称：固态电子元件、半导体元件、半导体物理、半导体材料 参考书籍： １　Semiconductor Physics & Devices Neamen 　Mc Graw Hill 有中文版，译者李世鸿，台商图书，ISBN：957-493-719-4 ２　Semiconductor Device Sze WILEY 　有中文版，译者黄调元，交大出版社，ISBN：957-30151-3-7 ３　Solid State Electronic Devices Streetman 有中文版，译者吴孟奇，东华书局，ISBN：957-483-083-7 ４　Semiconductor Device Fundamentals Pierret 无中文版 补习班资讯：高雄大硕，袁大为老师，只有高雄暑期班面授 投考组合（搭配工数＋电子学）： 清大电子所、成大微电子所、中央电机所乙组、中山电机所甲组、中兴精密所 中兴电机所丙组 考情分析：这科目算是比较少人在准备的，而补习班开课也少，市面上也没有贩售考古题 解答，因此相对地录取率也较高，以今年为例，成大微电子所、中央电机乙组、中山电机 甲组的录取率都超过１０％（清大因为选考组合很多，所以录取率很低），然而相对地缺 乏很多考试资源（笔记、讲义、考古题解答），以致於准备起来还是不容易。 内容摘要与心得： １　固态物理与量子力学 这里是我觉得最难准备的地方，范围很广，牵涉固态物理和近代物理，上述四本书籍大多 都扼要带过，不太容易掌握其中观念，可是偏偏又是这门科目的基础，这里没有观念後面 读起来更是吃力，个人建议再去多看固态物理和近代物理的书，对於观念会有很大的帮助 ，尤其是能带观念的建立。 ２　半导体物理 Ｅ－Ｋ图一定要懂，一次微分和二次微分的的物理意义，以及direct band，状态密度函 数，三种统计力学，这些建议看完书以後用表格加以分析，用最精简的文字写成自己的重 点整理，才能对於後来intrinsic and extrinsic semicondoctor透彻了解，建立起Fermi level的观念，这点非常重要！ ３　载子传输方程式 Diffusion and Drift current要分清楚物理观念，彼此的差异和关系式，进而探讨Hall effect。然後再研究Ambipolar Transform，五种不同case的差异，一样建议列表分析。 ４　PN junction 由电磁学所学的poisson equation，推电场、电位分布、空乏区宽度、接面电容等，仔细 注意热平衡、顺向偏压、反向偏压的差异和变化，一样建议列表整理，再看三种PN diode 的差异，也列表整理，然後特性曲线尤其重要，各线段造成的原因和机制，总之这部分看 到什麽类似的便列表和比较，完整整理後这部分其实不难 ５　BJT 这部分的数学非常杂，由之前学过的Ambipolar Transform，带入boundary condition， 对工数实力有自信的人建议试着解一次，可以得到各电流成分，探讨BTJ最重要的common base current gain α，公式中的物理意义要懂，然後六种非理想效应列表整理，接下来 BJT三种model也是分析列表整理。 ６　MOSFET 这里的能带图特别重要，MOS-C的三种状态，而threshold voltage的所有相关一定要列表 分析，然後才研究MOSFET的操作（这里和电子学重复性很大，可以加深记忆），然後是十 种MOSFET的非理想效应，也都列表整理。 ７　MESFET metal-semiconductor junction的分类和物理观念分析整理後，再和之前学过的PN junction做比较列表，才再看MESFET的操作。 ８　光电元件 LED、LD、photo detector、solar cell这四种的差异，一样列表分析 常考重点： 1. 求intrinsic Fermi level 2. mass-action law 3. 电子、电洞浓度计算 4. 求Fermi level 5. Fermi level的影响因素(浓度对温度作图) 6. 电阻率的影响因素和量测 7. mobility的影响因素 8. 求σ最小值 9. Einstein relation 10. Hall effect 11. 证明热平衡时Fermi level为定值 12. Abrupt junction 13. PN diode的特性曲线和影响机制 14. Zener和Avalanche的比较 15. diode和BJT暂态切换 16. BJT的α影响因素 17. BJT的非理想效应： 　　Base width modulation High level injection Kirk effect current crowding effect 不均匀参杂 Breakdown 18. BJT三种model： 　　Ebers-Moll model Hybrid-π model Gummel-Poon model 19. 基极传输时间与高频响应 20. HBT的优缺点 21. MOS-C(※所有公式和gate使用poly情况，各种能带图和C-V图) 22. MOSFET的非理想因素： Body effect Channel length modulation Short channel effect(charge sharing model) Narrow Width effect Drain induced Barrier Lowing Gate induced Drain Leakage mobility表面散射下降 Subthreshold conduction Hot electron Bulk Punch through 23. CMOS latch up 24. 改变threshold voltage的方法 25. M-S junction(四种case造成SBD和Ohmic) 26. PN和SBD的比较： 　　反向饱和电流 顺向电流 切换速度 切入电压 理想因数 高频响应 27. Ohmic contact的两种做法 28. MESFET的操作和公式 29. MODFET(HEMT)的做法和目的 30. cutoff frequency的三种case(BJT MOS MES) 31. 截止波长λ 32. LED和LD比较与机制 33. solar cell和photodetector的比较和机制 总结： 半导体这科目就是不断整理和分析，因为有不同版本，所以内容也不一样，然而整理出来 後的资料就是自己的，考古题解答写完也是自己的，多念多背就一定有收获，当然有同学 能跟你一起讨论更好，我和我同学也一起讨论考古题解答，虽然有时候彼此想法不同，但 是有时候我觉得他的答案好，有时候我找到他没找到的答案，很多事情不一定，然而不要 自己关起门来想，这样想出来的也不见得是对的，多和老师和同学讨论吧！ 最後我以我准备时常拿来鼓励自己的话和大家共勉： "Everybody loses a couple, and you either pack-up and you go home,or you keep fighting." 《奔腾年代》 --

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