作者johsieh (ii)
看板comm_and_RF
标题[问题] BJT基本性质
时间Sun Apr 26 04:37:11 2015
想请问一个有关於BJT的基本问题
在VCE固定下, IB越大, 会让ICE也越大
我不太懂得是
既然当有电洞进入Base时候 会把本来想要从Emitter移动到Collector的电子抵销掉
那麽 IB越大 不就表示有越多电洞被送进base中
如此一来 不就有越多的电子会被抵销掉吗?
既然这样 为什麽ICE依然会随着IB上升而上升呢?
ICE虽为电流 但是当电子流越小的时候 不也就表示着电流会下降吗??
感谢
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1F：→ wildwolf: 你有点倒果为因，应该是 VBE 上升导致 140.123.101.43 04/26 08:58
2F：→ wildwolf: IC 上升，IC 上升导致 recombine 变多 140.123.101.43 04/26 08:59
3F：→ wildwolf: 然後，IB是用来补被recombine的hole，所 140.123.101.43 04/26 08:59
4F：→ wildwolf: 以增加。怎麽会反过来从 IB 上升讨论 IC 140.123.101.43 04/26 09:00
5F：→ wildwolf: 也跟着上升呢? 140.123.101.43 04/26 09:00
6F：→ johsieh: 可是和FET的Vg不同 BJT不是用IB去控制开128.227.230.184 04/26 11:52
7F：→ johsieh: 关的吗? 因为在FET里会说Vg上升而Id上升128.227.230.184 04/26 11:52
8F：→ johsieh: 所以我想说BJT也是IB上升使ICE上升...??128.227.230.184 04/26 11:53
9F：→ twolight: FET：VG上升→ID上升 ; BJT：VBE上升→I 114.33.126.132 10/20 06:40
10F：→ twolight: C上升 114.33.126.132 10/20 06:40