想请问一个用photodiode去量测光强度的问题 基本上就是很简单 把active area对着光 然後就可以从电流表上面量到电流 这是因为电子电洞因为光能而分开 进而形成光电流 在网路上很容易就能找到 波长vs电流/光强度 的关系图 只要知道打的光是哪种波长 以及量测到的光电流强度 就可以知道这一个光源是多少瓦的 这是在网路上可以找的到的关系图(Silicon photodiode) http://ppt.cc/uSW~ 在已知670nm=1.9eV, 447nm=2.8eV 的情况下, 可以看出都是大於silicon的能带宽度1.1eV. 那请问为何不同波长却可以得到不同的Response呢?? 在价带的电子吸收了超过1.1eV的光能之後 不都是一样可以会抵达传导带吗? 那为何1.9eV的response会低於2.3的呢?? 感谢! --

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