作者zenk9980 (包子)
看板comm_and_RF
标题[请益] 关於晶圆等级和氧化层厚度
时间Wed Apr 23 19:03:38 2014
各位先进们好
小弟想请教一下4寸矽晶圆在购买时业务说有分等级
最高是prime ,最阳春的是test
想请问一下这两种矽晶圆的差别?因为价差一倍
业务也不知道明确的差在哪里
另外因为小弟买这Wafer是要做FET元件使用
应该是用prime比较好还是test?
FET的氧化层厚度一般来说镀多少奈米会比较好呢
(之前的学长是用270nm 的SiO2)?
查了一些文献也都大概在 300 nm
不过因为没有做过所以上来请教
不好意思麻烦大家了.谢谢
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