作者LYC108 (圆滚滚~~)
看板comm_and_RF
标题[问题] PA的稳定度设计
时间Mon Oct 28 03:38:59 2013
各位前辈大家好
想请问一下RFIC中PA一个稳定度的设计问题
制程是是T18，频段是24GHz
在设计稳定度的时候，cic的书上有一种是在mos前面挂一组RC并连
大概像下面这样
---电阻---
｜ ｜
｜ ｜
｜ ｜
A ｜ ｜ B
RFin----RF_block----------电容--------------NMOS
CIC书上的做法是将偏压串连一个大电阻放在B点
其中电阻大约几十欧姆，电容大约几百fF
我的做法阴错阳差将偏压串大电阻放在A点
RC并连的电阻跟偏压大电阻都是2.5K，电容800fF
量了2颗晶片增益都是负的，感觉上小讯号没进入mos
直流的部分电流跟电压都没有问题
由於ADS在这两个CASE的模拟上差异不大
功力不足没办法很完整的解释两者的差异
如果有条件不足的部份请提出
感谢
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 125.230.90.171
※ 编辑: LYC108 来自: 125.230.90.171 (10/28 04:04)
1F：推 cpt:输入端有DC-blocking cap吗? why RF-choke? 72.130.155.220 10/28 14:56
2F：→ cpt:测量时 VG偏压改变 gain会变吗? 72.130.155.220 10/28 14:57
打错了感谢指正
※ 编辑: LYC108 来自: 140.120.108.207 (10/28 15:53)