作者woi5566 (我爱伍伍陆陆)
看板comm_and_RF
标题[问题] 半导体在高温工作下
时间Thu Jun 13 15:17:52 2013
半导体在室温下，导电性介於导体与绝缘体之间。
最常用的半导体物质为锗(Ge)与矽(Si)。
温度每升高6°C时，矽晶体的导电性即增大一倍。
锗晶体之导电性则为温度每升高10°C时增大一倍。
我的疑问是 既然在高温的状况下 导电性会提升
那有没有可能在高温的环境之下 提升到接近导体 或成为导体
进而导致整个IC内部的矽晶片上的电路短路呢？
谢谢
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◆ From: 220.129.90.92
※ 编辑: woi5566 来自: 220.129.90.92 (06/13 15:53)
1F：推 cpt:那只适用於低温 温度高到一定程度之後 75.80.151.190 06/13 16:14
2F：→ cpt:晶格散射效应会开始让导电性降低 75.80.151.190 06/13 16:15
所以目前矽晶圆做出来的ic都不适用在高温环境吗?
因为ic封装完成後 有些会做可靠度测试
之後还要IR Reflow都会经过高达百度以上的高温
那结束这些过程後 这些矽晶圆做出来的IC CHIP还能维持原本的半导体特性
因为既然过了可靠度测试 应该是没问题 问题就是不行在高温环境下工作吧!?
我有点不解您说的晶格散射效应在温度高到一定程度 会使导电性又降低?
就矽本身的特性不是高温下导电良好 这样不就有所冲突吗﹖
※ 编辑: woi5566 来自: 220.129.90.92 (06/13 16:58)
※ woi5566:转录至看板 Electronics 06/13 17:03
3F：推 cwfy:矽的特性高温下导电良好=>超高温就变超导了 61.70.212.224 06/15 13:23
4F：→ cwfy:照你的逻辑来说就是这样? 61.70.212.224 06/15 13:23
5F：→ woi5566:恩 我目前的认知是这样 但我想了解错在哪 220.129.73.3 06/18 15:39
6F：→ woi5566:在麻烦您不吝啬指教!! 谢谢 220.129.73.3 06/18 15:40