大家好，最近拿 WIN 0.15um LNpHEMT 的 ads data 在做 LNA 的模拟， 遇到一些问题卡住，想上来向有经验的前辈请益。 1.里面单个电晶体的大讯号model， 以及已给定偏压及FET device size的noise model(无法自己调偏压及size)， 和data package中内附的给定偏压measurement data， 在想要的频段其noise都会不同，问了学长说是量测的比较准， 但是量测的data由於是固定的，里面有些给定的偏压又很奇怪 (Vg=-0.235V etc.) 实际上也不可能使用这种偏压吧!! 所以是希望用大讯号model就能调出在相同的偏压及电晶体size之下， 能够和量测的data有相同的s-parameters及noise figure. 2.技术文件里面写着大讯号model没有经过noise fitting, 所以如果要做到如1.中所提到的事，必须自己用大讯号model去做调整。 学长说了可以把偏压条件及size都调成跟量测data相同， 然後再调主要影响noise figure的那几个参数。 回来自己操作才想到大讯号model如果自己擅自去更改， 那麽後来layout时搞不好会又出其他的差错， 於是我想到也许是自己先layout建了s2p档，再抓回ads去和量测data试着fit. 但这是大工程，而且也不晓得这样是否正确， 很怕花了很多时间又做了没意义的事，故上来请教， 谢谢大家！ --

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