作者andlee (风中之尘)
看板comm_and_RF
标题[问题] 请问有关太阳能电池制程
时间Sun Apr 24 11:49:53 2011
请问各位大大
因为比起业界常用之制程设备 如:PECVD 等化学沉积法
其制程需通入矽甲烷 剧毒气体
溅镀法(sputtering) 为一个无毒性 且较安全之制程方法
不知光用溅镀法
是否可以产出转换效率佳之太阳能电池
因小弟在paper上好像都没看过 用sputtering 制程 有提到转换效率的
想请问各位这疑问
不知有没PO错版
感激不尽~
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 114.41.65.165
1F：推 Zoma:sputter很难吧~光doping每种浓度都一块靶材耶 140.112.49.136 04/25 12:43
2F：→ Zoma:而且打上去的也一定跟靶材浓度不一样~ 140.112.49.136 04/25 12:43
3F：→ Zoma:而且我想用ECR-sputter长应该也没HDP-CVD好~ 140.112.49.136 04/25 12:44
4F：推 rainstonein:CIGS都很多用co-sputtering阿 125.229.240.91 04/26 01:51
5F：推 Zoma:欧抱歉~我是单指a-si solar cell 220.136.190.29 04/26 04:03
6F：→ andlee:感谢楼上两位大大^^ 所以说业界没有在用 140.125.31.82 04/26 10:18
7F：→ andlee:sputter 制程a-Si的太阳能电池罗? 140.125.31.82 04/26 10:20
8F：推 Zoma:不知道有没有开发~但量产的没看过就是~ 140.112.49.136 04/26 12:01