作者mrjoker (>﹏<)
看板comm_and_RF
标题[问题] 多晶矽薄膜缺陷计算
时间Tue Oct 26 12:54:35 2010
目前研究碰到一个问题
多晶矽薄膜制备完成後，需要去计算薄膜中的缺陷密度
一般文献上是以湿蚀刻的方式将缺陷etching出来後以SEM或OM去计算他的数量
但因为我的薄膜只有约300nm厚，无法承受缺陷蚀刻
因此想请教大家
除了缺陷蚀刻之外，是否有其他方式(ex.电性量测)可以做一个定量的计算?
如果以电性量测出diffusion length或carrier life time能做一个间接的定量分析吗?
烦请大家提供意见，谢谢!!
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