※ 引述《davison (davison)》之铭言： : CIC提供的台积电0.18um RF CMOS制程,有RF CMOS 制程以及Digital CMOS 制程两种, : 印象中RF CMOS制程在ADS的模型已经有考虑布局的杂散效应,Digital CMOS制程因为没 : 有直接对应的布局元件,所以ADS的模型是没有考虑布局的杂散效应(有误请指正^^!), : 除了上述的差异外,想请教各位大大,RF CMOS 制程以及Digital CMOS 制程还有哪些地 : 方不同?另外,如果在ADS使用Digital CMOS模型设计射频电路,最後可能会发生什麽问 : 题? 我想举个例子来说明，你可能比较容易了解。 以联电 90nm 制程为例，他的 Logic/Mixed-Mode Process 里面包含很多 device， 例如有 SP_RVT, SP_HVT, LL_RVT 这三个常用的 device， 这些 device 他们有对应的 SPICE model for 一般 logic/mixed-mode 设计使用。 另外他们还有 LL_RF device 用於 RF 电路设计，同样也有其对应的 RF model。 但是事实上， LL_RF 这个 device 并不是一个新的 device，他是从 LL_RVT device 经过下线量测後，建立等效的 RF model。因此另外取一个名称叫 LL_RF。 因为在 RF 应用时， Device 本身的寄生效应必须被考虑(例如gate的电阻)， 但是其实还有很多RF应用上发生的效应，并没有完整的被建入 SPICE BSIM model 中。所以 equation-based 的 model 并不能完整的解释电路真正的特性， 因此目前大多的 RF model 还是属於查表法的 model，当使用这个 RF device 时，必须按照当初晶圆厂下线的方式，使用一模一样的 layout，才能保证与 晶圆厂提供的 RF model 的行为类似。 因此你前面提到， ADS 的 RF Model 包含有Device本身的寄生效应，是对的。 一般 Logic model 的应用范围并非没有考虑这些寄生效应，这些都在 SPICE BSIM model 中，只是当应用到 RF 应用时， model 会出现偏差，需要修正。 因此当初在 0.25um 时， Atheros 就是使用 digital 制程来制作 5GHz 的 802.11a RF circuit。数位制程并非不能拿来做 RF 应用，只是你得要自己解决 RF model 建立的问题。所以重点是，你有没有一个是经过多次下线验证过的 RF model，而不是你是不是用 digital 制程来做 RF。 --

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