作者davison (davison)
看板comm_and_RF
标题[问题] TSMC 0.18um CMOS 与 RF CMOS的差异
时间Mon Mar 17 08:42:39 2008
CIC提供的台积电0.18um RF CMOS制程,有RF CMOS 制程以及Digital CMOS 制程两种,
印象中RF CMOS制程在ADS的模型已经有考虑布局的杂散效应,Digital CMOS制程因为没
有直接对应的布局元件,所以ADS的模型是没有考虑布局的杂散效应(有误请指正^^!),
除了上述的差异外,想请教各位大大,RF CMOS 制程以及Digital CMOS 制程还有哪些地
方不同?另外,如果在ADS使用Digital CMOS模型设计射频电路,最後可能会发生什麽问
题?
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