作者winjun (帅到脸好痛)
看板comm_and_RF
标题[请益] 关於VCO的两篇论文
时间Wed Jan 30 17:14:33 2008
各位好:
我是VCO的新手，已读过Razavi里面14章振荡器与VCO相关章节，
不过还有许多疑问，上来请各位大大指教。
1.有关於phase noise的定义与物理意义?(才疏学浅,爬文还看不懂)
2.通常是什麽造成K_VCO的值不为常数，还有过大或过小的影响为何？
3.一般我们常看到逆偏的变容二极体(varactor)来控制电容，
是否是因为当V_cont改变，因为电容值的改变，造成
f_osc的改变？〔希望能确定我的想法〕
4.我看paper有提到SiGe HBT(异质接面双极电晶体)的特色在於:
low 1/f noise and high gain at microwave frequencies.
请问它的机制或是特色所带来的好处？
5.
http://www.badongo.com/file/7556495
这篇提到high linear的作法，利用四对diode和pMOS开关来做，
当V_ctrl升高时，四对diode会依序打开，致使linearly。
请问它的操作原理？
6.
http://www.badongo.com/file/7556718
看的懂这篇论文的数学公式，但是却不不懂他结构上的好处，
简单来说看的懂数学看不懂背後的电机与物理意义。
烦高手大略翻译一下。
感谢ＶＣＯ的高手看完我的问题，
如果能让自己更上一层楼，用力批没关系。 Orz
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 211.78.173.12
1F：推 cpt:关於1, 我记得Thomas Lee有篇很经典的paper 67.186.57.226 02/01 15:43
2F：→ cpt:可以上IEEE找找看 67.186.57.226 02/01 15:44
3F：→ cpt:2:可能原因很多 看VCO怎麽设计 影响stability 67.186.57.226 02/01 15:46
4F：→ cpt:3:没错就那样 4:材料特性 好处是低phase noise 67.186.57.226 02/01 15:47
5F：→ winjun:感谢楼上^^ 211.78.173.12 02/04 12:02