作者winjun (帅到脸好痛)
看板comm_and_RF
标题[请益] 关於VCO的两篇论文
时间Wed Jan 30 17:14:33 2008
各位好:
我是VCO的新手,已读过Razavi里面14章振荡器与VCO相关章节,
不过还有许多疑问,上来请各位大大指教。
1.有关於phase noise的定义与物理意义?(才疏学浅,爬文还看不懂)
2.通常是什麽造成K_VCO的值不为常数,还有过大或过小的影响为何?
3.一般我们常看到逆偏的变容二极体(varactor)来控制电容,
是否是因为当V_cont改变,因为电容值的改变,造成
f_osc的改变?〔希望能确定我的想法〕
4.我看paper有提到SiGe HBT(异质接面双极电晶体)的特色在於:
low 1/f noise and high gain at microwave frequencies.
请问它的机制或是特色所带来的好处?
5.
http://www.badongo.com/file/7556495
这篇提到high linear的作法,利用四对diode和pMOS开关来做,
当V_ctrl升高时,四对diode会依序打开,致使linearly。
请问它的操作原理?
6.
http://www.badongo.com/file/7556718
看的懂这篇论文的数学公式,但是却不不懂他结构上的好处,
简单来说看的懂数学看不懂背後的电机与物理意义。
烦高手大略翻译一下。
感谢VCO的高手看完我的问题,
如果能让自己更上一层楼,用力批没关系。 Orz
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 211.78.173.12
1F:推 cpt:关於1, 我记得Thomas Lee有篇很经典的paper 67.186.57.226 02/01 15:43
2F:→ cpt:可以上IEEE找找看 67.186.57.226 02/01 15:44
3F:→ cpt:2:可能原因很多 看VCO怎麽设计 影响stability 67.186.57.226 02/01 15:46
4F:→ cpt:3:没错就那样 4:材料特性 好处是低phase noise 67.186.57.226 02/01 15:47
5F:→ winjun:感谢楼上^^ 211.78.173.12 02/04 12:02