作者chin7527 (轩)
看板comm_and_RF
标题[请益] 请问有关HEMT或MOS跟温度的关系
时间Fri Nov 23 12:24:18 2007
专题名称是:
Relieved Kink Effects of InAlAs/InGaAs Metamorphic HEMTs through Gate Engineering
三种闸极材料:Au、Au/Ni、Au/Ni with SiNx passivation
请问他们的温度曲线图的走向,Vgs对外质转导的图形为何上升又下降?? Vgs对Id的图形为何是上升??
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PAE(power-added efficiency)是什麽意思(不是要英翻中喔)??
最好是有相关网站和书籍或是参考资料可以介绍
感谢!!
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