作者yuheng27 ( )
看板comm_and_RF
标题[问题] GaAs和SiGe是否互为替代品？
时间Wed Sep 5 14:58:02 2007
各位好，小弟我最近在研究手机这产业，
而在手机零组件中的PA（功率放大器）我发现了一些疑问，
现在的手机逐渐朝向3G甚至到WiMax方向发展，
但在这需要高频的时代，
传统的CMOS似乎已无法因应现在的需求，
所以目前PA好像都是以GaAs的为主（不知这样说法是否有误），
可是在搜寻资料的过程中，我又发现SiGe他的性能好像已逐渐逼近GaAs，
所以我的疑问是：
1. 手机中除了PA要用到GaAs还有哪部分需要用到？哪些部分可以用SiGe替代？（以3G以
上来讨论）
2. GaAs与SiGe性能是否已达到相同水平，目前技术上最大的差异又为何？
3. 3G以上的手机是否都要用到GaAs，或者还有其他替代品？
4. 目前全球的射频大厂，如RFMD等等，他们生产的射频模组是否也都采用GaAs？
5. 未来的射频市场是否由GaAs所宰制？
6. 最重要的就是GaAs和SiGe是否互为替代品？
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◆ From: 59.105.161.102
1F：→ cpt:其实很多大厂都在想办法设计CMOS PA, 比较省钱 128.237.251.5 09/06 00:08
2F：推 obov:cmos pa power差距好像还是难解决呀 76.103.52.84 09/06 16:37
3F：推 jyhsheng:只有PA在用GsAs 其他都是SiGe 少数才是218.160.124.205 10/03 01:34
4F：→ jyhsheng:RF CMOS 现在还是最少人用218.160.124.205 10/03 01:34