※ 引述《ONITSUKA (你管别人怎麽想)》之铭言： : ※ 引述《li0 (喔耶~~~)》之铭言： : : 请教各位先辈~~~~~~ : : 关於breakdown的问题~~~~ : : 像0.18制程channel length为0.18um的NMOS~~~~ 0.18um是gate length, not channel length. : : drain to source的breakdown voltage大约是多少~~~ : : 从1.8V的device名词上可以看出什麽端倪吗~? source 接到bulk然後到地吗? drain to bulk 是junction breakdown,silicide breakdown. drain to source 是punchthrough when gate is off. drain to gate is oxide breakdown. 查一下foundry的document(PCM spec), 会给你这些值，每家不同。 For example: 0.13um gate BD约3V and drain BD约2.5V for ur reference. : : 如果在drain端放一个电感~~~~ : : swing可以达到两倍~~~ : : 这又是如何解释~~~ Vdc+dV, dV=I*Z, where Z is the impedance of inductor 所以dV可以从0V to Vdc 且 Vdc to 2Vdc, 故为2Vdc. 不过2Vdc有待商榷，because inductor owns resistive loss, 同时，你可以画一下dynamic load-line, 可以发现swing low bound会低於0V because of parasitic C. : : 还有drain to source breakdown 的机制和 : : drain to gate breakdown的机制是相同的吗~?? 不同 punchthrough, 当drain电压变大，使得channel内的barrier high慢慢降低， 则source端的电子便容易越过barrier high到drain.端，致使电流变大 drain to oxide breakdown有点复杂，建议你看高等元件物理的书，查查poly edge 那附近。 : : 在制程资料中好像查不到这个东西~~~ : : 希望有前辈能为我解惑~~ : : 感激不尽~~~~~^^ : 一般而言source drain的耐压都很大..我之前看switch的paper有写 : CMOS .35 or .5(?) drain source可以到十几V以上..Vds一般都不是问题.. : 而gate到其它点的耐压..则小很多..我问过作ESD的朋友..他说最大可耐压 : 通常是核心电压的10%为极限..也就是CMOS .35 3.3V最大约3.63V就已经很危险了.. : 若CMOS.18 1.8V则是1.98V左右.. : 在RF电路里switch最常遇到这种情况..因为了降低loss提高power handling capability : 经常会使用charg pump 将电压提高超出核心电压..甚至到接近两倍.. : 审慎的检视各点偏压情况就变的很重要..有paper甚至会上偏压後.. : 打P-1db大的信号..放着一周 看是否会烂掉.. : 你或许可以去看看1999年(?)有篇rf switch的paper是JSSC..台湾人写的.. : 以上是凭以前design时的印象写的..供您参考.. --

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