作者john3030 (空虚的彰师大)
看板comm_and_RF
标题[问题] BJT的偏压问题
时间Mon Nov 20 21:14:12 2006
我本来是用CMOS的制程
现在多了一个选择就是 TSMC SiGe 0.35um
由於之前都没有模拟过 所以有点陌生
我知道 BJT是用电流驱动的
但是这个电流该怎麽产生呢??
如果是 CMOS是直接给一个电压 由电源供应器提供 该偏压的电压
那 BJT可以直接设定电流几安培 由电源供应器提供吗?
不好意思问了个蠢问题!? THX
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◆ From: 163.23.217.163
1F：推 panshinan:Ic=Is*exp(VBE/Vt) n=1时，由VBE所提供 61.231.229.180 11/21 03:11
2F：→ john3030:IB只能用偏压电路产生吗? 163.23.217.163 11/21 20:11
3F：→ panshinan:Ie=BIb Ie=XIe 所以当然罗 61.231.229.180 11/21 20:59