作者sexyman (现在新歌没好听的)
看板comm_and_RF
标题Re: [问题] 请问有关低杂讯放大器的问题??
时间Wed Jul 5 00:37:46 2006
※ 引述《davison (davison)》之铭言:
: ㄧ般LNA衰减电感的架构中,会再串叠ㄧ颗电晶体来增加隔离度,但是在下有些
: 疑惑:
: 1.多串叠一颗电晶体,照理来说等於多加了一个杂讯源,但是为什麽对於
: 整体的noise figure影响不是很大呢?
: 2.多串叠的那颗电晶体,可以增加增益,但是增加的原因是因为串叠
: 的那级是类似一个共闸极放大器,使电路变成两级放大器,还是因为串
: 叠那颗电晶体使的原本负载增加至使增益增加??
: 3.延续第二个问题,那串叠的那颗电晶体要工作在哪一区呢
1. 你可以仔细地算, 算出来的结果, 就会不太会对 NF 有影响; 另一个看法
就是将 common source 及 common gate 的电晶体视为两级放大
第一级的 CS 会有一个 gain 及一个 NF, 第二级的 CG 也有一个 gain 及 NF
根据低杂讯的放大器的理论, 多级电路的 NF, 若第一级gain 够大,则整体的 NF
便由第一级的 NF 所主宰, 接下来数级的 NF 效应都要除以前级的增益才累加。
2. 两种现象都存在,因为 CG 对 CS 的负载不同,而且又有增益
3. 你觉得,如果元件要有放大的效应,应该在那一区? 只有一个区吧!
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One is often told that it is a very wrong thing to attack religion.
So I am told;
I have not noticed it.
-Bertrand Russell
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◆ From: 59.112.8.191
1F:推 ihlin:2(补充). 除去CS级Cgd造成的miller效应 07/05 06:16