※ 引述《fantasywater (狂想)》之铭言： : 在计算电容时,有时候会计算插入介电质时的情形 : 想请问此时外加的电池仍然连接时或将其移除之後 : 对电容及板上自由电荷的影响有何差异 : 题目是会做了 可是一直不知道应该如何解释 : 另外 关於崩溃电压 我也不知道造成崩溃电压的条件为何 : 又为何会造成崩溃电压 与材料以及电动式的关系 : HOLIDAY也都没有讲得很清楚 可以帮我解释一下吗? 崩溃电压可分两类,累增崩溃和齐纳崩溃,这两种崩溃现象在PN逆偏时会同时发生 齐纳崩溃是因重掺杂导致空乏区阳离子化严重所以建立的内建电场更强,导致健全 的共价键变形,增加逆偏电压会加大空乏区,阳离子画更剧烈时得共价键变形破裂, 导致PN接面逆偏导通,一般来说<5V主要崩溃原因为此. 累增崩溃,逆偏时对少数载子是有利於跨越空乏区,逆偏电压越强行成之逆偏电流强, 这些电流在空乏区亦会撞击健全共价键,电流越强导致共价键受损,又产生电子电洞对 ,更利於导通最後崩溃,一般来说>7V主要崩溃原因为此. 若diode崩溃电压界於5~7V则上述二效应都一样显着.附注,diode的崩溃非破坏性,断掉 的共价键可以重新键结.diode会坏掉是因为大电流大功率导致烧毁. -- 平平都是男人 ╲ ／ 为什麽当我们努力推导着公式 ╳ 别人却努力的推倒着女生 ／ ＼psteven --

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