作者pl132 (pl132)
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标题[新闻] 挑战 HBM 王者地位！英特尔 ZAM 记忆体频
时间Mon May 4 22:22:16 2026
挑战 HBM 王者地位！英特尔 ZAM 记忆体频宽达 HBM4 两倍，容量、散热更具优势
https://technews.tw/2026/05/04/intel-zam-memory/
英特尔 Z-Angle Memory（ZAM）技术已接近完成阶段，并正全力投入 AI 市场浪潮，试图
挑战 HBM 作为高频宽记忆体主流方案的地位。
做为高频宽、高容量市场的重要创新，ZAM 正在记忆体产业引发高度关注。这项技术由英
特尔与软银（SoftBank）共同开发，目标是提供低功耗、高密度的解决方案，以取代 HBM
。
根据最新资讯，ZAM 记忆体的频宽预计将达到 HBM4 的两倍，并可与预计次世代 HBM4E
相媲美。ZAM 预计在 2028 年至 2030 年间进入量产阶段。在 2026 年 VLSI 研讨会上，
Intel 与软银旗下子公司 SAIMEMORY 预计将进一步揭露相关细节。
在架构设计上，ZAM 采用 9 层堆叠设计，其中单一堆叠包含 8 层 DRAM，每层之间仅有
3 微米矽基板，并由主基板上的单一逻辑控制器（Logic Controller）统一管理。该技
术包含三层主要的矽穿孔（TSV）结构，每层透过混合键合（Hybrid Bonding）配置
1.37 万个互连路径。
在容量与效能方面，ZAM 每层提供 1.125GB 容量，使单一堆叠达到 10GB，整体封装可达
30GB。堆叠面积为 171mm2 ，每平方毫米提供 0.25 Tb/s 频宽，单一堆叠总频宽可达
5.3 TB/s。
尽管 HBM 目前仍是 AI 加速器与 GPU 的主流记忆体方案，但随着规格提升，已面临发热
与功耗等结构性挑战。ZAM 则针对高密度、宽频宽与低功耗进行优化，其垂直结构有助於
散热，避免传统布线层造成的热堆积问题。
ZAM 的主要优势包括极高频宽密度：约 0.25 Tb/s/mm2 ，显着高於 HBM；更低功耗：针
对资料传输能耗进行优化；更佳散热管理：垂直架构降低热累积；更高堆叠潜力：支援
9 层以上堆叠，采用 3μm 超薄矽基板；先进互连技术：包含磁场耦合无线 I/O 与混合
键合；AI 工作负载优化：针对生成式 AI 的记忆体瓶颈设计。
ZAM 的最终目标是透过 3.5D 封装技术实现高密度 3D 记忆体整合，将高频宽大容量记忆
体、电源与接地轨（Power/Ground rails）、矽光子（Silicon Photonics）及传统 I/O
整合於单一基板上。
INTEL一直涨,要重返荣耀了吗,会不会涨到200....
最近半导体真的很疯狂
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 180.177.203.113 (台湾)
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※ 编辑: pl132 (180.177.203.113 台湾), 05/04/2026 22:23:10
1F：→ buttery: 2028才量产，也不知道良率好不好。 114.42.29.34 05/04 23:01
2F：→ MTKer5566: 这就是差别，规格都老外在订在研发 61.230.119.39 05/04 23:01
3F：→ buttery: 半导体的规格很多都是台积电说了算。 114.42.29.34 05/04 23:02
4F：→ buttery: 浸润式光刻机，鳍式制程，先进封装都是。 114.42.29.34 05/04 23:04
5F：→ twinmick: i家搞记忆体的结果好像都不太好... 1.161.77.127 05/04 23:33
6F：推 TripleC: 本来一直纳闷为何intel 不重启记忆体设 72.159.77.39 05/05 04:46
7F：→ TripleC: 计生产 72.159.77.39 05/05 04:46
8F：推 yusukis: 想起了久远的rambus 111.241.68.95 05/05 05:18
9F：→ physicsdk: 利多出尽？ 223.136.65.203 05/05 07:31
10F：推 skyswolf: 想想winmax 114.140.64.245 05/05 08:22
11F：推 chi731022: 想想 xpoint 101.10.166.225 05/05 09:55
12F：推 s1an: Intel 之前就玩过HBM 不知道为什麽後来又不 119.14.95.235 05/05 10:02
13F：→ s1an: 玩了 119.14.95.235 05/05 10:02
14F：→ bnn: ...把制程和规格混为一谈是哪门子理解 125.227.13.36 05/05 10:14
15F：→ bnn: 人家後面只看你传输速度 容量 温度散热 体积 125.227.13.36 05/05 10:14
16F：→ bnn: 你里面怎麽堆叠出来还是你用哪家仪器做才不管 125.227.13.36 05/05 10:15
17F：推 roseritter: 来欧来欧 下注会不会烂尾 223.138.45.191 05/05 11:18
18F：推 Vansace: 等可以商业化量产再讲 不要老是吹实验室 114.47.81.46 05/05 11:51
19F：→ samm3320: 顶多是他自己的东西不用送去GG做吧 42.72.193.56 05/05 14:19
20F：推 jupei5566: 什麽鬼 122.200.158.2 05/05 15:32
21F：推 douge: 看到3um 的spacing Si 就知道良率...140.112.175.204 05/05 17:20
22F：→ rogergon: 这家是ppt之王，实际会怎麽样还很难说 49.218.150.39 05/05 17:28
23F：推 luweber88: intel的显卡也没什麽销路 42.73.240.49 05/05 18:24
24F：→ pf775: 台积电为什麽没造记忆体 223.137.60.121 05/05 19:47
25F：→ Somebody99: 有机会喔，毕竟对手是三星 223.137.29.44 05/05 20:06
26F：推 HAYABUSA1207: 难怪今天涨13% 39.14.57.137 05/06 01:42
27F：→ aaron2034b: NVRAM卖给Hynix 因为赔钱 没人要用 42.79.238.248 05/07 21:30
28F：→ aaron2034b: 谁知道风水轮流转 记忆体夕阳产业 现 42.79.238.248 05/07 21:30
29F：→ aaron2034b: 在都会顺风顺水….. 42.79.238.248 05/07 21:30
30F：→ dildoe: 要搞老本业了 不得了 36.229.169.173 05/09 08:44