作者pl132 (pl132)
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标题[新闻]突破 300 层门槛！SK 海力士宣布量产 321
时间Thu Nov 21 12:45:24 2024
突破 300 层门槛！SK 海力士宣布量产 321 层堆叠 NAND Flash
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韩国记忆体大厂 SK 海力士於 21 日宣布，开始量产全球最高的 321 层堆叠 1Tb TLC
4D NAND Flash 快闪记忆体。
SK 海力士表示，从 2023 年 6 月量产当前最高的上一代 238 层堆叠 NAND Flash 快闪
记忆体，并供应於市场之後，现在又率先推出了超过 300 层堆叠的 NAND Flash 快闪记
忆体，突破了技术界限。SK 海力士计划从 2025 年上半年起，开始向客户提供 321 层堆
叠的产品，以此因应市场的需求。
SK 海力士强调，在此次产品开发过程中采用了高生产效率的 3-Plug 制程技术，克服了
堆叠局限。该技术分三次进行通孔制程，随後经过优化的後续工程，将 3 个通孔进行电
气连接。在其过程中开发出了低变形的材料，并引进了通孔间自动排列（alignment）矫
正技术。
另外，技术团队也将上一代 238 层堆叠 NAND Flash 快闪记忆体的开发平台，应用於
321 层堆叠的产品上，由此最大限度地减少了制程的变化。与上一代产品相较，其生产
效率提升了 59%。还有，此次 321 层堆叠的产品与上一代产品相较，数据传输速度和读
取性能分别提高了 12%、13%，并且数据读取能效也提高 10% 以上。SK 海力士接下来将
以 321 层堆叠 NAND Flash 快闪记忆体，积极因应针对 AI 低功耗、高性能的新市场，
并逐渐扩大其应用范围。
SK 海力士 NAND Flash 快闪记忆体开发副社长崔正达表示，公司率先投入 300 层堆叠以
上的 NAND Flash 快闪记忆体量产，在攻占用於 AI 资料中心的固态硬碟、边缘 AI 等针
对 AI 的记忆体市场方面占有有利地位。未来，公司将不仅在 HBM 为代表的 DRAM，在
NAND Flash 快闪记忆体领域也具备超高性能记忆体产品组合，将跃升为全方位面向 AI
的记忆体供应商。
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1F：嘘 sqt : 韩国到底知不知道重点要报告出 良率% 是多少？ 11/21 12:50
2F：→ physicsdk : 还好吧 爱拿几层来嘴光光更凶 然後市占率还是被海 11/21 12:52
3F：→ physicsdk : 力士按在地上摩擦 11/21 12:52
4F：→ yunf : 等到哪一天A I会设计你就知道他直接拉到物理极限 11/21 13:33
5F：→ godwarder : 就当初长江第一个跳出来说量产232震惊世界 11/21 13:52
6F：→ godwarder : 之後就变成层数竞赛了 11/21 13:53
7F：推 physicsdk : 等到有天GG可以靠AI顾机台 确保制程高良率 乖乖都 11/21 14:27
8F：→ physicsdk : 可以拿去丢 再来说 11/21 14:27
9F：→ gw00086 : AI也要放乖乖ㄚ 11/21 14:32
10F：→ physicsdk : 好啊 标准先放低一点 AI放乖乖 做到不用人力轮班顾 11/21 14:33
11F：→ physicsdk : 机台 良率能做到一样 就给过XD 11/21 14:33
12F：→ samm3320 : 转3D本来就拼层数，从48层就开始拼了 11/21 14:57
13F：→ daleptt : AI觉醒 变得会挑乖乖的口味 11/21 15:02
14F：→ nick0506 : 最会发paper的小旺宏去到几层了？18层到了没？ 11/21 15:39
15F：推 cht12341234 : 记忆体无法缩小了 11/21 17:40
16F：推 negohsu : 旺旺48+48应该已经量产了，96+96就不知道了 11/23 12:20