涉将三星独门技术「打包泄漏」中国 韩晶片大老再度被羁押 https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/4792273 前三星高层崔珍奭（66岁）因涉嫌将三星开发的核心晶片技术—20奈米制程资料泄漏给中国 ，再度遭拘留，此举凸显南韩在打击产业间谍与放缓中国取得晶片制造进展的努力。 韩国朝鲜日报报导，首尔地方院5日对涉嫌违反「防止不正当竞争与保护商业秘密法」的崔 珍奭与吴姓前三星电子首席研究员举行拘留前的审讯，判定「有潜逃可能」，因此签发拘留 令。 报导指出。崔、吴两人涉嫌将包含20奈米晶片制程所需的温度、压力等600多道手续的核心 资料泄漏给中国成都高真科技。根据首尔警察厅产业技术安保调查队掌握的讯息显示，这两 人疑似将「三星电子的20奈米DRAM晶片独家技术打包泄漏」。 创立成都高真科技的崔珍奭曾任三星电子常务、海力士半导体（现为SK海力士）副社长。20 23年其因涉嫌窃取三星电子晶片厂设计图，意图在中国设立20奈米DRAM的「三星电子复制厂 」而被拘捕，并於11月获得保释 路透报导，自去年7月以来，崔珍奭是韩国备受瞩目的产业间谍审判对象。他的律师表示， 崔否认任何不法，他被控窃取的资料都是可公开取得的，至於最新控诉，崔珍奭还未被检方 起诉。 --

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