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标题[新闻] 力拚台积电,三星宣布 3 奈米 GAA 成功流
时间Tue Jun 29 20:58:06 2021
力拚台积电,三星宣布 3 奈米 GAA 成功流片
技术论坛时台积电强调 3 奈米制程将照时程於 2022 下半年正式量产,竞争对手南韩三
星日前也表示,采用 GAA 架构的 3 奈米制程技术正式流片(Tape Out),对全球只有这
两家能做到 5 奈米制程以下的半导体晶圆代工厂来说,较劲意味浓厚。
外媒报导,三星 3 奈米制程流片进度是与新思科技(Synopsys)合作,加速为 GAA 架构
的生产流程提供高度优化参考方法。因三星 3 奈米制程不同於台积电或英特尔的
FinFET 架构,而是 GAA 架构,三星需要新设计和认证工具,因此采用新思科技的
Fusion Design Platform。制程技术的物理设计套件(PDK)已在 2019 年 5 月发表,
并 2020 年通过制程技术认证。预计此流程使三星 3 奈米 GAA 结构制程技术用於高性能
运算(HPC)、5G、行动和高阶人工智慧(AI)应用晶片生产。
三星代工设计技术团队副总裁 Sangyun Kim 表示,三星代工是推动下一阶段产业创新的
核心。三星将藉由不断发展技术制程,满足专业和广泛市场增长的需求。三星电子最新且
先进的 3 奈米 GAA 制程技术,受惠於与新思科技合作,Fusion Design Platform 加速
准备,有效达成 3 奈米制程技术承诺,证明关键联盟的重要性和优点。
新思科技数位设计部总经理 Shankar Krishnamoorthy 也表示,GAA 电晶体结构象徵着制
程技术进步的关键转捩点,对保持下一波超大规模创新所需的策略至关重要。新思科技与
三星战略合作支持提供一流技术和解决方案,确保发展趋势延续,以及为半导体产业提供
机会。
GAA(Gate-all-around)架构是周边环绕着 Gate 的 FinFET 架构。照专家观点,GAA 架
构的电晶体提供比 FinFET 更好的静电特性,可满足某些栅极宽度的需求。这主要表现在
同等尺寸结构下,GAA 的沟道控制能力强化,尺寸进一步微缩更有可能性。相较传统
FinFET 沟道仅 3 面被栅极包覆,GAA 若以奈米线沟道设计为例,沟道整个外轮廓都被
栅极完全包裹,代表栅极对沟道的控制性更好。
3 奈米 GAA 制程技术有两种架构,就是 3GAAE 和 3GAAP。这是两款以奈米片的结构设计
,鳍中有多个横向带状线。这种奈米片设计已被研究机构 IMEC 当作 FinFET 架构後续产
品进行大量研究,并由 IBM 与三星和格罗方德合作发展。三星指出,此技术具高度可制
造性,因利用约 90% FinFET 制造技术与设备,只需少量修改的光罩即可。另出色的栅极
可控性,比三星原本 FinFET 技术高 31%,且奈米片通道宽度可直接图像化改变,设计更
有灵活性。
对台积电而言,GAAFET(Gate-all-around FETs)仍是未来发展路线。N3 技术节点,尤
其可能是 N2 节点使用 GAA 架构。目前正进行先进材料和电晶体结构的先导研究模式,
另先进 CMOS 研究,台积电 3 奈米和 2 奈米 CMOS 节点顺利进行中。台积电还加强先导
性研发工作,重点放在 2 奈米以外节点,以及 3D 电晶体、新记忆体、low-R
interconnect 等领域,有望为许多技术平台奠定生产基础。台积电正在扩大 Fab 12 的
研发能力,目前 Fab 12 正在研究开发 N3、N2 甚至更高阶制程节点。
https://technews.tw/2021/06/29/samsung-announces-3nm-gaa-tape-out/
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7F:推 Merman19 : 先搞定发热好吗?三星 06/30 04:56
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12F:→ apoenzyme0 : 根据公布的数据,三星3nm的功耗与效能相当台积5nm 06/30 20:43
13F:→ apoenzyme0 : 正确是5nm加强版 06/30 20:43
14F:嘘 Keelungman : 下线 tape out 07/01 01:37
15F:嘘 Ayasaki0916 : 对岸明明叫tapeout叫输出 07/01 18:47