南韩政府10年投资22亿美金启动先进功率半导体计画 https://bit.ly/3dStD2r 南韩政府2021年4月1日发布了先进功率半导体（advanced power semiconductor）研发和 产能提升计画，用於人工智慧系统、电动汽车等的功率转换、稳定、控制等，以及5G通讯 系统和可再生能源发电的逆变器（inverter）中。韩国国内市场规模约为20亿美元，然而 由於缺乏专利和技术，90%以上需求仰赖进口。 韩国政府计画到2025年提升本土竞争力到全球水准，到时韩国将至少有5种先进功率半导 体商业产品。韩国政府将专注於SiC（碳化矽）、GaN（氮化镓）和Ga2O3（氧化镓）三种 材料的应用技术，以克服矽材料的限制，并协助企业在材料和晶圆方面的研发工作。 尤其，随着透明的导电氧化物──氧化镓（Ga2O3）出现，还有一个不错的特性，藉由掺 杂（Doping）流程可以向其添加电荷载流子，增加其导电性。氧化镓可以采用现存已建立 的商业微影机和加工技术，以离子注入的标准制程，以及在外延生长过程中沉积的杂质来 添加掺杂剂。氧化镓的另一个优点，就是在大型晶圆之结晶的氧化镓实际上非常容易制造 。 韩国政府还计画协助功率IC设计，开发高密度、高性能的先进功率半导体产品，同时与晶 圆厂一起设立6至8寸的制程，扩大相关的晶圆服务。 其实，2021年2月1日韩国政府就宣布，2021年将投资2500亿韩元（约2.2亿美元），未来 10年将投资2.5兆韩元（约22亿美元），加快功率半导体、先进感测器和AI晶片技术等系 统级晶片技术的研发。 首先，在今年(2021)将选择4家无晶圆厂公司（fabless），目标达到1000亿韩元（约8900 万美元）的销售额，并在评估後再进一步协助公司开发有潜力的产品。 功率半导体技术相关的研发方面，将集中在SiC和GaN半导体上，其特点是比现有的矽晶片 更加耐用和高效。在感测器研发、制造和建立测试平台方面，政府将投入5000亿韩元（约 4.4亿美元）进行初步可行性调查。 在AI晶片研发方面，下世代AI半导体技术研发的年度预算从831亿韩元（约7400万美元） 增加到1223亿韩元（约1亿美元）。正在进行的可行性研究完成後，将启动记忆体处理器 （Processor-in-Memory，PIM）晶片研发专案。 --

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