作者ynlin1996 (.)
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标题[新闻] GaN和SiC半导体2021年市场迅速增长
时间Mon Dec 7 17:55:58 2020
GaN和SiC半导体2021年市场迅速增长
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由於,在5G设备、智慧型行动装置、混合动力与电动汽车、电源和太阳能光电(PV)需求的刺激下,新兴的碳化矽(SiC)和氮化镓(GaN)这类型化合物功率半导体(compound power semiconductor)市场,预计在2021年将突破10亿美元。台积电(TSMC)宣布与意法半导体(STMicroelectronics)双方将合作加速氮化镓制程技术的开发,并将分离式与整合式GaN元件导入市场,抢攻电动车新商机。
从2021年化合物半导体市场将迅速增长,包括SiC(4H-SIC)和GaN(氮化镓)在内的下一代复合功率半导体市场的增长现已开始。市场研究公司Yole预测,到2024年,SiC功率半导体市场将以29%的复合年增长率增长,达到20亿美元。相关的受益人应该包括美国的Cree,意法半导体(STMicro)和Veeco,以及韩国的RFHIC。最近,GaN晶体管已被大量用於智慧手机和笔记型电脑的充电适配器。此外,现代汽车集团在其最近宣布的E-GMP中采用了Sic半导体。
晶圆生产技术对於GaN和SiC半导体的生产,至关重要。藉由使用有机金属CVD(MOCVD)设备在衬底上生长GaN外延层来制造GaN半导体。SiC外延晶片是通过在多层晶片上沉积几微米厚的SiC单晶层而制成的。SiC晶片由Cree,Infineon和Rohm等许多公司生产。在韩国SK Siltron收购了杜邦(Dupont)的SiC晶圆部门後,正在对该行业进行投资。SiC碳化矽晶片现在供不应求。
Cree计划到2024年将SiC产能提高30倍,并为其GaN业务投资10亿美元。ST Micro的SiC晶片组相关销售额在2019年达到2亿美元,目标是到2025年达到10亿美元。
其实,SiC肖特基二极体已进入市场十多年了,近年来出现了SiC金属氧化物半导体场效应电晶体(SiC MOSFET)和结栅场效应电晶体(SiC JFET)。SiC功率模组也越来越多,包括混合SiC模组、包含带Si绝缘栅双极电晶体(IGBT)的SiC二极管,以及包含SiC MOSFET的全SiC模组。
相比之下,GaN功率电晶体和GaN系统IC最近才出现在市场上。GaN是一种宽带隙(WBG)材料,具有与SiC类似的性能优势,但具有更高的降低成本的潜力。这些具有价格和性能优势,因为GaN功率器件可以生长在比SiC便宜的矽或蓝宝石基底上。尽管现在可以提供GaN电晶体,但预计Power Integrations、德仪和Navitas Semiconductor等公司的GaN系统IC的销售,将以更快的速度增长。
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