作者specman (阿皮回家啦!!)
看板Tech_Job
标题Re: [讨论] 晶片体质
时间Mon Sep 18 13:05:00 2017
我都是作前端的前端, 趁此文章想请教此版各位高手.
1. 一般现场状况是怎样测试晶片到不到的了某个操作频率?
会不会刚开始跑的到, 後来跑不到?
2. 一棵die 失败, 占整颗chip的成本约多少?
※ 引述《FTICR (FT-ICR)》之铭言：
: 一片或一批 wafer 切出每片晶片一定体质有差，有些频率可以跑比较高有些比较低
: Intel 也把保证可以跑到不同频率的晶片标上不同型号来卖
: 不过像是苹果的晶片，以 A9 为例，Wikipedia 写设计频率是 1.85 GHz
: 1. 这样的话整批做出来的晶片，跑不到这频率就算是不良品
: 2. 还是这些晶片可能拿去组装比较低阶的产品
: (像是可以跑到 1.85 GHz 用去组装 iPhone 6s，1.5~1.8 GHz 用去 iPhone SE 或 iPad)
: 甚至不同地区销售的 iPhone 因为价格不同，用的晶片等级可能会有差?
: (好像没看过这样的评测或新闻过)
: 我自己认为比较可能是选项1.，整批做出来是几乎都可以跑在设计频率以上，
: 不知道对不对?
: 是否有前辈可以分享这方面经验? 感谢！
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1F：→ udtsean: 1. 那要 sampling 做加速老化测试 09/18 15:01
2F：→ udtsean: 2. 不一定，看封装型式，例如LCD driver IC (COF) 约占 t 09/18 15:01
3F：→ udtsean: otal cost 的 30% 09/18 15:01
4F：推 adfn: 要测试频率，业界的做法是埋一个专门测试频率用的小晶圆 09/18 15:08
5F：→ adfn: 然後测试这个小晶圆通过的delay时间。 09/18 15:09
6F：推 adfn: 然後依据此delay时间，在与这颗ic真实能跑的频率两者相比 09/18 15:11
7F：→ adfn: 就能过在CP测试平台测出跑不到标准频率的die了。 09/18 15:12
8F：推 adfn: 因为每个产品die大小差太多，所以成本结构会完全不一样。 09/18 15:13
9F：推 twicm: Speed sensor 09/18 16:10
10F：→ twicm: +DVFS 09/18 16:50
11F：→ ptta: 就DFT里面的on speed test,google一下 09/19 09:01