[link] http://www.xfastest.com/thread-80024-1-1.html MaximumPC 报导称，美光使用 45nm 制程成功量产 1Gb PCM 快闪记忆体 工作电压为标准的 1.8V 实际上是由 1Gb 容量的 PCM 快闪记忆体和 512Mb 的低功耗 DDR2 快闪记忆体组成 美光希望初期的产品用於 Feature Phone 中 因为目前制造出的 PCM 容量还比较低，未来的 PCM 产品有望用於智慧手机和平板中 PCM 快闪记忆体是以 bit 为单位进行单元擦除 这与 NAND 快闪记忆体以 block 区块为单位擦除有明显不同，因此擦除速度更快 美光的 F&Q 页面上表示 PCM 随机读取速度有 400MB/s，这还只是第一代产品的性能 与 NAND 快闪记忆体一样，PCM 也存在写入次数限制 不过 PCM 的特性就是每个 cell 单元都可以存储多位元 bit 因此 PCM 的可靠性理论上高於 NAND，美光生产的 PCM 快闪记忆体写入次数高达 10 万次 堪比 SLC 快闪记忆体 -- ▄▄▄▄▄ ▄▄▄▄▄▄ ▄ ▄ ▄ ▄▄▄▄ ▄ ▄▄▄ ▄ ▄ ▄ ▄▄▄▄▄▄▄▄ ▄ ▄▄ ▄▄▄ ▄▄▄▄ ▄ ▄ ▄ ▄▄▄ くっくっくっ.... --

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