作者wrltertnnn (德永英明)
看板Storage_Zone
标题[情报] Intel发布22nm 3D Tri-Gate电晶体技术
时间Sat Jul 2 13:49:36 2011
22nm 「Ivy Bridge」处理器年底前量产
Intel 5 日宣布在半导体技术上取得重大突破，
将会於下代 22nm 制程中采用全新的 3D Tri-Gate 电晶体技术，
是全球首次把这项技术应用於量产上，
电晶体向 3D Tri-Gate 结构前进，
将有助 Intel 处理器进一步提升性能表现，
以及降低功耗提升电池续航力。根据 Intel 最新产品路线图，
将会於 2011 年第四季量产首款 22nm 制程的「 Ivy Bridge 」微架构处理器，
紧接将会应用於手持式装置 Atom 处理器与 Xeon 伺服器处理器之上。
3D Tri-Gate 电晶体技术是半导体技术上的重大突破，
早於 2002 年 Intel 已向外披露公司正着手研发 3D 电晶体的可能性，
因为传统 2D 电晶体受到物理定律影响，
成为制程进步的其中一大障碍，
全新 3D Tri-Gate 电晶体技术能令晶片在更低的电压下运作，
并且减少漏电情况，
令功耗进一步降低。
全新 22nm 3D Tri-Gate 在较低的电压下，
性能仍较上代 32nm 提升达 37% ，
成为 Intel 进军小型手持设备的最强武器，
相较上代更少的电力即可完成电晶体开关操作，
只需消耗不到一半的电量，
就能达至上代 32nm 2D 电晶体相同的性能表现。
据 Intel 表示，
在全新 22nm 3D Tri-Gate 电晶体的协助下，
Intel 可以按需求灵活选用低能耗或高性能电晶体，
32nm 制程转进 22nm 所带的好处是无可否定的，
但全新 3D Tri-Gate 电晶体技术所带来的意义，
相较单纯跟上摩尔定律步伐更为深远，
低电压和低电量的优势远较全新制程升级所得到的好处来得深远，
这一突破将扩大 Intel 在半导体行业的领先优势。
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 180.94.176.109
1F：→ kslman :AMD表示 07/02 14:32
2F：→ y3k : :囧 07/02 14:35
3F：→ sppmg : cpu只送不卖 07/02 19:39
4F：推 Umol :AMD表示:都给你玩就好 07/03 02:51