2011年的 NAND快闪记忆体市场将会发生哪些情况？以下是投资银行Barclays Capital分 析师C.J. Muse所预测的该市场七大发展趋势： 1. 2011将是 NAND 快闪记忆体年 Muse认为，2011年将是属於 NAND 的年份；明年3x奈米将是主流制程，2x奈米也将扬眉吐 气。不过该市场将呈现双头寡占的状态，由三星(Samsung)与东芝(Toshiba)/Sandisk两大 厂商总计囊括近75%的生意(市占率分别为40%与33%)。2011年 NAND 厂商的资本支出规模 也将首度超越 DRAM 厂商。 2. 苹果效应 平板装置风潮将带来庞大的NAND需求量；半导体设备业者应用材料(Applied Materials) 曾预估，将需要一座月产能200 kwspm的初始晶圆厂，才能因应预期中的需求。光是苹果 (Apple)本身，其明年需求量就可能是今年的两倍，甚至还有可能达到三倍──因为该品 牌所有的Macbook笔记型电脑现在都是采用固态硬碟(SSD)。 3. 是领导者也是跟随者的三星 NAND制造商正朝着2x奈米制程节点迈进，而各家厂商不太相同，三星(Samsung)是27奈米 ，美光(Micron)是25奈米，东芝是24奈米，海力士(Hynix)则是26奈米。其中三星无疑是 产量与获利之王，但却不一定是NAND制程技术的领先者。 在多层单元(multi layer cell)制造技术上，三星的起步较晚，但现在该公司已经同时具 备3x奈米与2x 奈米技术能力；三星2011年将迈入27奈米制程节点，将让产品成本比3x奈 米制程降低35%。此外该公司也预期，到2010年底，3x奈米制程将可微缩至80%以下。 4. 要感谢东芝… 由於先前的东芝厂停电问题， NAND快闪记忆体明年第一季的价格可望上扬，也许幅度不 是很大，但至少有助於该市场在2011年1~2的维持价格稳定；该停电事件大约让生产线上 20%的产品受到影响。 5. 东芝平板装置效应？ 东芝目前正积极量产32/24奈米制程，也发表了自有品牌的平板装置；该公司是在2010年8 月开始量产24奈米制程，其7月份开始兴建的新晶圆厂Y5将在明年春天就绪。不过该厂并 不像英特尔(Intel)的18寸晶圆厂D1X，不支援EUV微影设备。 6. 海力士再起 海力士一直以来都遭遇棘手的良率问题，包括在6x奈米与4x奈米制程节点，但该公司最近 的良率已经大幅改善，在3x奈米与2x奈米领域甚至晋身领导级厂商；其逆境求生的本能与 优良的管理策略令人惊艳。 目前海力士正在进行3x奈米制程的转换，接下来很快就会迈进2x奈米制程，时程约在2011 年中；该公司2010年的产能可望增加30kwspm，2011年估计将再成长3万片，不过得看他们 是否能在衰弱的财务状况中，拿出额外的资本支出。 7. 美光力争上游(不包括英特尔) 最近美光公布 2011年资本支出规模约在24~29亿美元之间，其中有三分之二是花在IM Flash新加坡(IMFS)的量产；该公司计划在2011年底将IMFS的产能再提升六成，达到10万 片晶圆的月产能。 美光与英特尔在IMFS的持股本来各半，前者最近将持股比例提升到71%；IMFS采用的是2位 元MLC架构，应该优於东芝与三星所开发的3位元MLC。美光预期在2011年完成转换至25奈 米制程。 http://www.eetimes.com/electronics-news/4211760/Seven-trends-for-NAND-flash http://www.eettaiwan.com/ART_8800630135_628626_NT_1621e440.HTM --

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