※ 引述《jansia (Ich Liebe Dich)》之铭言： : ※ 引述《ChampionHare (无敌兔 []~(￣▽￣)~*)》之铭言： : : 我随便举一个好了 SSD坏了 资料怎麽救 ？ : 您举的例子就是我上黄色的部分 : btw,这个其实是小弟很好奇的部分，因为不在业界工作 : 我们都知道硬碟因为碰撞甚麽的问题会坏掉 : 但是flash 本身的损坏状况跟耐受条件不知道又是怎麽一回事.. : 不知道有没有业界人士可以偷偷透露一下不机密部分，给个common sense :P : : 这只是您的解释罢了 对於厂商来说 目前SSD市场就是面对performance user SSD 算法绝对有商业机密,可以明讲.我们Lab 是用Reverse engineering去搞 因为不做商业性应用也没事 Flash 有二个特性 Endurance : 指Flash的耐操度，即Flash的读写次数。一般Flash在读写次数超过一定值後，会变成非 常不稳定，甚至会影响资料的存取。 FLASH 是以电压不同记录0,1讯号 Floating gate ( 浮动闸或电荷储存单元). 中储存的电压 .会随着读写次数的增加变化 。 Vt变化由原本的(-3～1 V)变成(-0.5～2V)，造则成读写错误。 当在Program或Erase时 电子在穿越穿隧氧化层时(SiO2)， 会在SiO2介面造成电洞 会与氢结合，造成SiO2变质 记录电压就会不准.. 就会造成读写错误.这有赖flash moemory bad block 与ecc机制处理 所以开卡後会有service block. 就是为了预防这状况 Retention : 指记忆体中资料保存的时限 1. SILC(漏电流) 随着读写次数的增加SILC的效应也随之增加(原因如同上 2. CHE应力，这是因为当同一条字元线，或同一条位元线上挂几个记忆包时，当每次读取 时，记忆包中Vt也会微微上升(原因如第IV项所述)。 一般Flash的规格是，不频繁读取写下 十年也不会造成错误 至於SSD 恢复方法有二个手段 1. 修复SSD 载入同主控 同样nand mormory firmware . 2.把每颗nand flash 用热风枪吹下 一般来讲nand flash 都是tsop 48 再用编程器读取 还原数据块...这部份存粹是logical level 其实SSD or USB stick 数据块比raid 还难搞定 像Toshiba nand flash 初步就先做个xor运算... SANdisk 做个AES加密 SSD Recovery VS HDD 我个人是这样觉得 如果原厂放出资料 SSD还是会比传统硬碟好搞一点 但以目前状况　　SSD比较麻烦 ※ 编辑: laptop 来自: 219.91.90.240 (09/08 12:21) 推 ericinttu :岚大大好文推一个 ※ 编辑: laptop 来自: 112.104.56.78 (11/03 00:45)