作者Buddy (Strong)
看板StockPicket
标题[检举] #1f5eUCLX 1-2-4 sayforever69
时间Fri Nov 14 10:37:17 2025
检举文章代码:
#1f5eUCLX (Stock)
[1]
被检举ID:sayforever69
违反板规:1-2-4
违规事证:
作者 sayforever69 (买高卖低的韭菜猫) 看板 Stock
标题 [新闻] 明年记忆体业产能扩张有限 供不应求将持
时间 Fri Nov 14 09:36:10 2025
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原文标题:
明年记忆体业产能扩张有限 供不应求将持续
原文连结:
https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/5245051
发布时间:
2025/11/13 16:38
记者署名:
记者洪友芳/新竹报导
原文内容:
根据研调机构集邦(TrendForce)最新调查显示,随着记忆体平均销售价格(ASP)持续
提升,供应商获利也有所增加之下,DRAM与NAND Flash後续的资本支出将会持续提高,预
估约各年增14%、5%,这幅度对2026年位元产出成长挹注将有限,预计供不应求市况将延
续2026年全年。
TrendForce指出,DRAM和NAND Flash产业的投资重心正逐渐转变,从单纯的扩充产能,转
向制程技术升级、高层数堆叠、混合键合以及HBM等高附加价值产品。其中,DRAM产业今
年资本支出估将达到537亿美元,预计2026年会进一步成长至613亿美元,年增达14%;
NAND Flash资本支出今年预计约211亿美元,2026年预计小幅增长至222亿美元,年增约5%
。
TrendForce分析,在DRAM各供应商中,美光(Micron)被认为是最积极的厂商,估2026年
资本支出预计达135亿美元,年增23%,主要专注於1 gamma制程渗透和TSV设备建置;SK
hynix的增幅也很显着,2026年预计为205亿美元,年增17%,以应对M15x的HBM4产能扩张
;三星(Samsung)预计投入200亿美元、年增11%,用於HBM的1C制程渗透及小幅增加P4L
晶圆产能。
TrendForce指出,目前在无尘室空间也有不足供应的情况,检视所有DRAM供应商的产能空
间,仅有三星与SK hynix仍有小幅扩大产线的机会,美光则需等待其美国ID1新厂落成,
最快2027年才能有产出,因此任何後续上修的资本支出对2026的位元产出贡献皆非常有限
。
在NAND Flash各供应商中,TrendForce表示,Kioxia/SanDisk和YMTC因没有DRAM业务,被
认为是最积极扩大产能以巩固地位的厂商。Kioxia/SanDisk预计投入45亿美元,年增41%
,加速BiCS8生产并投资BiCS9研发;美光2026年目标是微幅增加NAND Flash产能,并专注
於G9制程和enterprise SSD业务,预计资本支出年增幅达63%;三星和SK Hynix/Solidigm
则将缩减或限制NAND Flash资本支出,优先将投资转向HBM和DRAM领域。
TrendForce分析,此次NAND Flash产业需求的爆发,主要受AI对储存容量需求的急速攀升
,以及HDD供应不足导致云端服务供应商(CSP)转单所带动。此现象属於结构性短缺,而
非短暂的市场波动。然而,过去数年产业经历多次景气循环,使部分厂商在资本支出与扩
产策略上趋於保守。随着2026年资本支出重心放在制程升级和导入hybrid-bonding而非扩
产,将导致供应位元增幅有限,TrendForce认为,NAND Flash市场的供不应求状态预计将
延续2026年全年。
心得/评论:
记忆体目前产能扩张有限,大厂陆续转往HBM领域,NAND DRAM相关可能维持着供不应求
的状态
虽然近期似乎看到报价已经到顶 ,但相关需求还是没有减少
记忆体整个大产业仍在一个大循环内,就看什麽时候景气到顶?
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1F:→ Paul1021: 检举成立 11/16 19:25
2F:推 rayccccc: 成立 11/20 12:38