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标题[新闻] zHBM！三星公布全新3D记忆体路线图，力
时间Wed Aug 5 08:18:12 2026
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zHBM！三星公布全新3D记忆体路线图，力争在AI技术领域取得领先
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https://wallstreetcn.com/articles/3778689
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08-05 05:17
记者署名：
鲍奕龙
原文内容：
三星电子正大力宣传其最先进内存硬体在性能和能源效率方面的提升，以期在竞争中超越
SK海力士和美光科技。
当地时间8月4日，三星电子在FMS年度储存产业高峰会上，正式宣布了zHBM和zNAND-O两款
概念产品，以及业界首款采用晶圆键合技术、堆叠层数超过400层的V10 BV-NAND。
其中，zHBM将高频宽记忆体直接垂直堆叠於AI加速器晶片之上，效能预计约为下一代HBM5
的8倍。
上述技术发布正值记忆体产业竞争白热化之际。华尔街见闻提及，SK海力士携手闪迪在大
会上，联合发布高频宽快闪记忆体（HBF）全球首个标准规范。
HBF技术定位於高频宽记忆体（HBM）与固态硬碟（SSD）之间的新型储存层级，旨在同时
解决AI推理场景下的频宽瓶颈与容量扩展难题。
zHBM，颠覆传统封装架构
zHBM是此次发布中最受市场关注的技术愿景。
在现有设计中，HBM记忆体堆叠与AI晶片透过矽中介层并排整合於同一封装内，业界通常
称为2.5D封装。 AMD、英伟达等公司均采用此方案用於高阶AI应用。
三星的zHBM则打破了这个范式，将HBM直接垂直堆叠於AI加速器晶片之上。
三星表示，透过大幅缩短资料在AI处理器与记忆体之间的传输距离，zHBM可提供更高频宽
和更优异的能效，满足大规模AI训练与推理对超高速资料处理的需求。
根据三星揭露的规格，结合下一代晶圆键合技术，zHBM的记忆体密度可达HBM5的10倍以上
，能源效率提升3倍，热阻降低逾50%。
该技术还支援客制化IP集成，可在记忆体与AI加速器之间的中间层嵌入客制化设计，进一
步扩展记忆体容量并提升加速器效能。
三星将该技术的量产时间预期设定在2029年前後，目前尚未就HBM5或zHBM给出明确的量产
时间表。
同时，三星表示已於今年2月率先实现基於1c DRAM制程及4奈米基底晶片的HBM4量产，并
於5月首批向全球客户出货HBM4E样品。
对标HBF，面向边缘AI的高频宽快闪记忆体方案zNAND-O
三星同步推出了zNAND-O，这是该公司基於V-NAND技术构建的下一代高性能NAND解决方案
，目标量产时间为2028年，将提供四层和八层两种版本。
从技术路径来看，zNAND-O与SK海力士和闪迪先前开发的高频宽快闪记忆体（HBF）概念相
近，同样采用TSV和UCIe介面。
但根据三星官员介绍，两者的应用定位有本质差异：
HBF的设计初衷是在伺服器端填补AI加速器旁侧的记忆体分层空缺，而zNAND-O的定位是在
端侧装置中储存大型模型，以便与NPU互动。
三星表示，zNAND-O凭藉高空间效率、改善的I/O效能和低延迟特性，专为支援即时、资料
密集型AI应用的边缘AI环境而最佳化。
V10 BV-NAND，业界首款400层以上晶圆键合快闪记忆体
三星此次也发表了V10 BV-NAND，这是其史上首款采用晶圆键结（Bonding V-NAND）架构
的3D NAND产品。
距离三星於2013年Flash Memory Summit上发布业界首款V-NAND技术，时隔13年後，这一
里程碑更新正式亮相。
V10 BV-NAND堆叠层数超过400层，透过晶圆键合技术垂直堆叠储存单元，储存密度较上一
代V9提升约58%。
此外，该产品在读取、写入和I/O性能方面均优於前代，旨在为未来AI系统和应用提供高
性能、大容量的NAND支撑。
全端AI记忆体布局，从HBM到PIM与企业级存储
除上述前沿概念产品外，三星还在本次展会上系统性展示了其现有AI记忆体与储存产品组
合及路线图，涵盖HBM4E、HBM5、LPDDR5X-PIM以及PM1763等产品线。
其中，LPDDR5X-PIM是业界首款搭载存算一体（Processing-in-Memory）技术的LPDDR内存
，支援在记忆体内部直接执行资料处理，可同时提升资料搬运效率与功耗表现。
企业级储存方面，三星展示了以AI资料中心日益增长的储存需求PM1763和BM1773解决方案
。
身为全球唯一在记忆体、晶圆代工和先进封装领域均具备业界领先能力的整合元件制造商
（IDM），三星将上述产品定位於一站式端到端AI基础设施解决方案，意图协助客户缩短
开发周期，加速差异化AI半导体产品的市场导入。
心得/评论：
三星以突破性的垂直堆叠架构，引领次世代记忆体规格，展现极致技术霸权。
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1F：推 r22025 : 鬼故事吗 08/05 08:20
2F：推 ohlong : 赚烂惹赚烂惹 08/05 08:24
3F：→ cmcmisgod : 不算鬼故事 因为我们记忆体制程原本就超落後 08/05 08:24
4F：→ Waitaha : 反观 08/05 08:25
5F：推 sdbb : 好Z害 08/05 08:43
6F：推 lusifa2007 : 三星很常发表吓人的新技术但真的要量产 良率通常很 08/05 08:52
7F：→ lusifa2007 : 感人 08/05 08:52
8F：推 ru04hj4 : 三星记忆体一直很强 市占率也很高 上次美光呛也很 08/05 08:54
9F：→ ru04hj4 : 好笑 苹果采购量最大应该是三星都没叫 08/05 08:54
10F：→ linchw : 这也要弯道超车？ 08/05 08:55
11F：嘘 cloud2015 : 依含狗人胆前不顾後的尿性，硬推的技术，很容易出大 08/05 08:58
12F：→ cloud2015 : 包 08/05 08:58
13F：→ nash1314 : z > B 08/05 09:16
14F：推 FULLHD1080 : 堆在GPU上散热问题得解 08/05 10:08
15F：→ NexusPrime : 有z比较厉害 08/05 10:11
16F：推 uoho : gg至上 08/05 10:15
17F：推 realbout : 三爽从看不起HBM到现在追得比谁都勤.... 08/05 10:19
18F：→ Gundam77 : 发表吓死人，产出笑死人。 08/05 10:34
19F：推 bepartedby : 我还是喜欢b 08/05 10:35
20F：推 okbon : 这就真3dic 也不是新技术 08/05 10:51
21F：→ okbon : 先解决量产散热再说 08/05 10:51
22F：推 StNeverRush : 直接叠上去诶 烫死 要挖多少通道 08/05 11:05
23F：推 lottepudgy : 我大三星最强 08/05 11:09
24F：→ jerrychuang : 这不是早就规划的吗？ 08/05 11:10
25F：推 peatle : 想显示他们超Z害 08/05 11:16
26F：推 f1731025 : 散热跟速度呢 只叠容量会大包喔 08/05 11:16
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28F：嘘 pf775 : 还不是被台积电屌打 08/05 11:32
29F：推 yoshiki78529: 谁被骗票了 08/05 11:44
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