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标题[新闻] 三星、辉达强化 NAND 合作
时间Tue Jul 21 13:29:50 2026
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三星、辉达强化 NAND 合作
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2026/07/21 01:20:32
记者署名：
编译陈律安
原文内容：
南韩科技巨头三星正扩大与辉达的合作关系，不仅涵盖DRAM、高频宽记忆体（HBM）晶片
与晶圆代工，如今也进一步加强供应储存型快闪记忆体（NAND Flash）。
这意味全球记忆体需求持续强劲，辉达为满足AI愈来愈强大的推理与生成功能，需要更多
储存晶片支援，因而扩大与三星在NAND晶片合作。
《首尔经济日报》引述消息人士报导，三星凭藉庞大产能，将扩大对辉达供应旗舰级第九
代V–NAND（V9），同时也开始量产并交付第十代V–NAND（V10），并加速研发最多堆叠
500层的V11。
随辉达等科技巨头对AI伺服器等级的NAND晶片需求激增，三星迅速把产线转向V9；目前该
公司把约60%的V-NAND产能分给V9，使其跃居主力产品。
心得/评论：
三星扩大供应辉达NAND，反映AI储存需求快速成长，也显示高阶记忆体市场前景持续看好
。
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