华邦电：记忆体缺口越来越大 价格看涨 2026/05/05 19:03 〔记者洪友芳／新竹报导〕记忆体厂华邦电（2344）今召开法说会，受到设备交机延缓，资 本支出从上季的421亿元下修到405亿元，部分金额延到明年，但不影响今年扩产，总经理陈 沛铭指出，对NOR Flash、SLC NAND Flash与DRAM价格同步看涨， 公司目前产能满载且将持 续扩产，预估DRAM供给缺口将延续到2028年以後，第二季价格涨幅会比上季多，SLC NAND快 闪记忆体市场缺口也越来越大，更是华邦电今年扩产重头戏。 陈沛铭表示，目前扩产需求购买设备，交期都较延迟，但华邦电有提早因应，董事会今天甫 通过新的资本支出案，金额约73亿元，其中有50多亿元会用在边缘AI的客制记忆体CUBE生产 设备，与DRAM产能共享，但目前DRAM产能吃紧，但为了2027年可量产，CUBE需预备产能。 此外，华邦电董事会也新通过的高雄厂B模组规划设计案，初期的设计案约3至4亿元；并将 增购快闪记忆体测试机台，预估月产能将从去年4万片，会一路扩增到2027年元月，逐渐增 加到5万片，晶圆产能约有增加20%，位元产出量约增加逾40%，甚至可能逼近50%。陈沛铭指 出，SLC NAND快闪记忆体扩增产能是华邦电今年重头戏，因市场缺口越来越大。 陈沛铭说明，华邦电第一季DRAM营收季增93%，位元出货量季增约25%，DDR4与LPDDR4是主要 成长动能，平均售价季增逾50%；Flash营收季增23%，位元出货量低十位数成长，平均售价 上涨约30%。预估DRAM供给缺口将延续到2028年以後，第二季价格仍持续上涨，且涨幅不会 比第一季小，毛利率与获利能力有望进一步提升。 他指出，华邦电DRAM产能将转集中高雄厂生产，产能将从今年初1.5万片提升到明年2.4万片 ，位元出货量约年增80%，8Gb DDR4开始小量销售并导入客户试产，往後在交换器、伺服器 与企业级SSD等应用将逐步放量，带动电脑产品线应用成长可期。 陈沛铭表示，华邦电在NOR Flash产品以58奈米制程为主，占超过一半产量，主要应用於高 密度储存型产品；SLC NAND Flash因大厂退出2D制程，造成市场缺口持续扩大，带动华邦业 务增长，目前NOR与SLC NAND Flash毛利率皆较高，华邦电将积极扩产，预计今年SLC NAND Flash位元出货数将年增20%，明年进一步年增40%。 对於车用与工业应用面，陈沛铭表示，车用需求自疫情後低迷已久，但近期一线模组厂与全 球车厂纷来跟华邦电洽谈供货，显示「车用需求回来了」，工业应用成长更为明显；通讯来 自交换器需求增加而成长，消费端DDR4出货增加，尤其在电视（TV）领域占有率有提升。 展望市场，陈沛铭指出，AI需求强劲，四大资料中心与AI伺服器业者今年建置金额可能达7 千多亿美元，其中，大部分将投入伺服器与交换器设备，带动NOR Flash、SLC NAND与DRAM 需求，但因AI应用吸走大量供给，排挤到非AI如PC、手机等需求，但他认为，需求只是递延 ，并没有消失，未来二到三年仍可能会出现需求回补。 https://ec.ltn.com.tw/amp/article/breakingnews/5426577 心得： AI起飞造成NAND晶片需求大增 美光 珊迪都不断创新高 记忆卡哇重返农药 比之前的航运强太多了 --

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