原文标题： HBM技术路线图曝光！三星电子：2026年出货由HBM4主导 HBM5将采2奈米制程 原文连结： ※网址超过一行过长请用缩网址工具 发布时间： 2026-03-19 05:50 记者署名： 陈韦廷 原文内容： 韩媒最新报导指出，三星电子正加速推进下一代高频宽记忆体布局，在 HBM4 今年正式进 入量产的同时，已将目光投向更远一代产品，打算将 HBM5 基片工艺从 4 奈米提升至 2 奈米，并以 1d DRAM 作为 HBM5E 的核心堆叠记忆体。这一战略部署显示三星在 AI 记忆 体市场的强势扩张意图，对高端 DRAM 供应格局及下游 AI 加速器供应链具有深远影响。 综合《韩联社》、《ETNews》与《SEDaily》报导、三星记忆体开发负责人、副总裁 Hwang Sang-jun 在辉达 GTC 大会上披露了详细规划。他明确表示，HBM5 的基片将采用 三星晶圆代工的 2 奈米制程，较 HBM4 及 HBM4E 所用的 4 奈米制程实现跨代升级，以 满足下一代 AI 工作负载对记忆体性能的更高要求。此举虽让成本上升，但为达成 HBM 的目标性能，引入先进制程已成为不可避免的技术路径。 产能目标方面，Hwang Sang-jun 透露，三星今年拟让 HBM4 在全部 HBM 出货中的占比超 过 50%，同时整体 HBM 产量较去年提升逾三倍。HBM4 今年才正式进入量产阶段，这一积 极目标显示三星正全力扩充产能来匹配 AI 晶片市场对高频宽记忆体持续攀升的需求。若 此计画落实，将对全球高端 DRAM 市场供应格局产生实质影响。 在 HBM5E 层面，技术蓝图更为前瞻。据披露，该产品将以 1d DRAM 作为核心堆叠存储， 相较於 HBM4 及 HBM4E 所采用的 1c DRAM 再度升级。目前 1d DRAM 仍处於三星内部研 发阶段，但知情人士透露已取得较好的性能表现与测试良率，显示出向量产推进的积极信 号。 除记忆体业务外，三星正通过代工 Groq 3 推理晶片扩展在 AI 加速器产业链中的定位。 Groq 3 正在三星平泽园区生产，量产目标定於今年第三季底至第四季初，当前订单量已 超出预期。 Groq3 裸片面积超过 700 平方毫米，每片晶圆仅可切出约 64 颗晶片，远低於通常的 400 至 600 颗。该晶片约 70% 至 80% 的面积由 SRAM 构成，可在片上完成快速推理运 算，无需依赖外部 HBM。 市场分析指出，三星代工 Groq 3 LPU 晶片被视为其成为下一代 AI 加速器全栈平台核心 合作伙伴的重要标志。在三星晶圆代工部门进入辉达供应链之後，三星的角色已从单纯的 记忆体供应商，延伸至 LPU 制造领域，与辉达生态系统的合作深度进一步扩展，此举意 味着三星正从零件供应商朝着全栈式 AI 解决方案提供者转型。 这一战略转型恰逢 AI 计算需求爆发的关键时期。随着大模型和生成式 AI 应用快速普及 ，对 HBM 和专用推理晶片的需求呈现指数级增长。三星通过记忆体技术迭代与代工业务 扩张的双轮驱动，正在构建从记忆体到计算的完整 AI 硬体生态体系。 观察人士认为，三星的布局反映了半导体产业垂直整合的趋势。通过将先进内存技术与晶 圆代工能力相结合，三星有望在 AI 晶片市场获得更强的话语权。 不过，这一战略也面临诸多挑战，包括技术研发的高投入、产能扩张的执行风险，以及日 益激烈的市场竞争。 随着 HBM4 量产爬坡和 HBM5 技术开发同步推进，三星在高阶 AI 记忆体领域的领先优势 有望进一步扩大，而透过代工业务切入 AI 推理晶片市场，则为其打开了新的增长空间。 该公司的转型成效将对全球半导体产业格局产生深远影响。 心得/评论： SK海力士HBM4 基底晶片还在用台积电12nm 三星HBM4和HBM4E基底晶片则是用4nm 性能远超SK海力士 现在确定三星HBM5基底晶片采用2nm HBM5E则是用上1d DRAM 除非SK海力士也用上台积电先进制程 不然根本看不到三星车尾灯 --

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