作者madeinheaven ()
看板Stock
标题[新闻] 三星突破 10 奈米瓶颈，新电晶体有望重
时间Wed Dec 17 16:57:39 2025
原文标题：
三星突破 10 奈米瓶颈，新电晶体有望重塑 DRAM 市场格局
原文连结：
https://bit.ly/4qjvyAB
发布时间：
2025 年 12 月 17 日 10:10
记者署名：
※原文无记载者得留空
原文内容：
三星电子 16 日宣布，该公司及其三星先进技术研究所（SAIT）成功开发出一种新型电晶
体，能够在 10 奈米以下的制程节点上生产 DRAM，这个突破将解决行动 RAM 扩展中的关
键挑战。这项技术的重点在於实现小於 10 奈米的 DRAM 制程，这对於行动 RAM 来说是
一个重要的障碍，因为传统的扩展方法已经达到物理极限。
三星的这项创新专注於0a和0b类DRAM，这些新型记忆体有望显着提升未来装置的容量和性
能。根据报导，这项技术仍处於研究阶段，未来将应用於小於10奈米的DRAM产品。
在此次宣布中，三星介绍了其名为「高耐热非晶氧化物半导体电晶体」的技术，该电晶体
能承受高达摄氏550度的高温，进而防止性能下降。这种垂直通道电晶体的通道长度为100
奈米，并可与单片CoP DRAM架构集成。
在测试中，该电晶体的排水电流几乎没有衰退，并且在老化测试中表现良好。这个技术的
推出，将使三星在高密度记忆体市场中更具竞争力，并可能在2026年及以後的装置中首次
亮相。
心得/评论：
恭喜三星重大突破 利用InGaO技术实现10nm以下DRAM制程
根据此前报导三星计画在2025年推出1c DRAM (HBM4)
2026年推出1d DRAM 2027年推出10nm以下0a DRAM
今天三星电子股价107900 +4.96%
不管什麽晶片 通通都需要记忆体~!!!
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 36.225.47.20 (台湾)
※ 文章网址: https://webptt.com/cn.aspx?n=bbs/Stock/M.1765961861.A.C1A.html
※ 编辑: madeinheaven (36.225.47.20 台湾), 12/17/2025 17:05:37
1F：推 win8719 : 等商用在说 12/17 17:04
2F：嘘 pf775 : 韩国人有技术？ 12/17 17:21
3F：推 chinaeatshit: 韩国又双叒弯道超车了 12/17 17:43
4F：推 chrischiu : dram韩国人本来就是最强 12/17 18:08
5F：推 motan : 中国竞争压力大 12/17 18:52
6F：推 Legend871216: 後面难度可是指数级的成长 12/17 20:24
7F：→ prussian : 还排水电流咧，机翻都没这麽烂 12/17 20:43
8F：→ TripleC : 哈哈哈 我还在想说是什麽电晶体新规格 被楼上点醒 12/18 00:35