原文标题： 韩媒：传三星抢下辉达明年 SOCAMM 2 半数订单 原文连结： https://technews.tw/2025/12/03/samsung-socamm2-nv/ 发布时间： 2025 年 12 月 03 日 14:00 记者署名： 苏 子芸 原文内容： 根据韩媒报导，三星电子已成功取得辉达明年第二代 SOCAMM（System on CAMM，SOCAMM 2）逾半供应量。 据业者消息，辉达向 DRAM 厂提出的 SOCAMM 年度需求规模约为 200 亿 Gb，三星正洽谈 承接其中 100 亿 Gb 的产量，相当於约 8.3 亿颗 24Gb LPDDR DRAM，推估需动用每月 3 至 4 万片晶圆的生产能力，约占三星全体 DRAM 产能的 5%。另外，SK 海力士将接手 其余多数需求，美光则仅保留少量供应空间。 三星能在 SOCAMM 2 的导入阶段抢下主要份额，被视为其 10 奈米级第 6 代（1c）DRAM 在良率与性能表现上的原因，让 SOCAMM 供应链版图出现明显调整，领先本来占优势的美 光。 根据网上资料，SOCAMM 是辉达近年推动的高效能记忆体模组，采用压缩连接式 CAMM（ Compression Attached Memory Module）设计，能在更薄的基板上整合多颗低功耗 DRAM ，较传统 DDR5 RDIMM 在空间效率与能耗上更具优势。 而 SOCAMM 2 传输速度提升至 9,600 MT/s，较 SOCAMM 1 的 8,533 MT/s 更快。 与专为 GPU 设计的 HBM 不同，SOCAMM 主要支援 CPU，在大型 AI 推论与资料搬移中扮 演关键角色。其透过高速铜互连整合 DRAM，具备良好散热与讯号完整性，且模组可拆卸 ，使伺服器维护与升级更具弹性。 三星、SK 海力士与美光曾於今年的 GTC 2025 展示 SOCAMM 原型，但因能效与稳定性仍 待调整而延後导入。辉达随後启动 SOCAMM 2 的共同开发，并预计搭配明年推出的 Vera CPU 使用，形成下一阶段 AI 伺服器的记忆体架构。 随着 AI 伺服器对高密度、低功耗记忆体的需求持续攀升，SOCAMM 被视为继 HBM 之後的 另一项重要架构演进。其模组化设计正让伺服器记忆体从传统固定焊接，逐步走向更易维 护、更具弹性的方向。 心得/评论： 美光在SOCAMM起了个大早、赶了个晚集 现在三星在SOCAMM 2上抢下辉达半数订单 HBM方面 三星HBM4已通过PRA 待辉达批准即可量产 GDDR7方面 24 Gb（3GB）GDDR7量产後32 Gbps 与 36 Gbps 两款 GDDR7已送样 根据TrendForce之前报导三星GDDR7市占率高达7成 业绩方面 Kiwoom Securities上调三星电子2026年营业利益预测至100.42兆韩元 大摩预测为116.45兆韩元 --

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