不参考坊间的小道消息 纯粹是以一个带有记忆体体质的晶圆厂 判断目前价位还算是偏低 （vs 二线晶圆代工厂） 也参考了日本矽晶圆厂的季度报告 未来12寸晶圆需求还是会因为Data center, 记忆体应用而增加 坚定不移！ ※ 引述《gametheory (正直和善良会回来)》之铭言： : 这边乡民应该很多都在半导体科技业 : 单纯从Foundry 技术来看，PSMC有12寸、有第三代半导体、以及有很大一部分的记忆体 业 : 绩加持（最近市场很火） : 感觉应该比5347世界要有竞争力 : 所以预订的停利点是目前世界90元附近的价位 : 另外想请问， : 世界目前只有8寸量产（12寸还没开始量产），为何股价还能这麽高？ : ※ 引述《DrowningPool (My broken dreams)》之铭言： : : 原文标题：力积电基本面优异 营运动能加速点火热到明年 : : 原文连结：https://money.udn.com/money/story/5710/9142008 : : 发布时间：2025-11-15 : : 记者署名：朱子呈 : : 原文内容： : : 晶圆代工厂力积电（6770）上周强势补量上攻，自10日以来日K连续筑高、均线呈现 「5 : 日 : : ＞10日＞20日」多头排列，上周五（14日）收34.15元、成交24.8万张。驱动买气的 关 : 键 : : 在基本面讯号转佳，第3季亏损收敛、记忆体报价续扬，公司宣布11月起调整部分晶 圆 : 代 : : 工价格，市场预期第4季有望呈现量价齐扬态势，热度可望延续至2026年上半年。 : : 技术面维持偏多结构。10月中旬起MACD翻红後高档钝化，11月初柱状体虽一度收敛， 但 : : DIF仍在零轴之上；KD回到60至70区间反覆钝化，均线上弯、短多惯性未破。价量来 看 : ， : : 10月下旬的放量突破区间带来有效支撑，短线若能续守月线与10日线，续挑战前高的 机 : 会 : : 不低。 : : 观察近五日，外资买超逾9万张、自营商买超逾1.1万张，投信小幅转买，三大法人合 计 : 买 : : 超逾10万张。根据14日券商分点资料显示，买超前三大为港商野村、国票–天祥以及 新 : 加 : : 坡瑞银，买超张数分别为12,684张、5,203张以及3,688张，属於外资与券商交易部共 同 : 点 : : 火的格局，锁定强势股短波段。 : : 力积电近期举行法说会，总经理朱宪国当时表示，记忆体市况火热，利基型DRAM受产 能 : 排 : : 挤效应影响，价格持续上涨，预期第4季投片量与价格都会上升，涨价效应自11月起 开 : 始 : : 反应，记忆体动能可望将一路延续至明年上半年，有助改善获利。 : : 力积电预估，第4季产能利用率约与第3季持平，记忆体维持满载、逻辑相对偏弱。随 记 : 忆 : : 体价格反映效益发酵、先进封装布局成形，第4季获利持续改善，亏损逐季收敛。 : : 力积电透露，3D AI Foundry相关产品第3季已占营收约2%；多款中介层（Interposer ） : 完 : : 成设计定案且试产良率达量产水准，将扩大投片承接高频宽、高密度需求；WoW与多 家 : 客 : : 户处於PoC阶段，预估明年下半年具备量产条件。这组讯息为股价提供中期支撑。 : : 以记忆体跟逻辑市场来看，朱宪国说明，AI带动HBM高阶记忆体需求爆发，利基型DRA M : 因 : : 大厂将产能转往HBM而受排挤，价格持续上涨；SLC NAND因三星与SK海力士减产，第3 季 : 价 : : 格谷底翻扬；NOR Flash因AIoT应用需求推升，有涨价迹象。 : : 综观盘势与消息面，短线有涨价与记忆体动能走强，中期则有先进封装与客户投片意 愿 : 转 : : 强。筹码虽进入高档换手，但主力仍以外资与大型券商为主，配合均线多头与量能不 失 : 控 : : ，若後续整理後放量突破35～37元区间，有望开启下一段行情。 : : 力积电10月合并营收41.34亿元，较9月39.52亿元增加约4.6%，年增约5.6%；累计前 十 : 月 : : 达383.69亿元、年增约2.3%。第3季合并营收达118.4亿元，季增5%、年增1.6%；税後 净 : 损 : : 27.28亿元，每股税後净损0.65元。 : : 心得/评论： : : 莫非是年底到了　该懂得就懂了 : : Q3赔钱　法说会说Q4产能利用率差不多 : : 新闻跟我说基本面优异？ : : 不愧是台股　越＿越喷！！！！ --

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