原文标题：明年记忆体业产能扩张有限 供不应求将持续 原文连结：https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/5245051 发布时间：2025/11/13 16:38 记者署名：记者洪友芳／新竹报导 原文内容： 根据研调机构集邦（TrendForce）最新调查显示，随着记忆体平均销售价格（ASP）持续 提升，供应商获利也有所增加之下，DRAM与NAND Flash後续的资本支出将会持续提高，预 估约各年增14%、5%，这幅度对2026年位元产出成长挹注将有限，预计供不应求市况将延 续2026年全年。 TrendForce指出，DRAM和NAND Flash产业的投资重心正逐渐转变，从单纯的扩充产能，转 向制程技术升级、高层数堆叠、混合键合以及HBM等高附加价值产品。其中，DRAM产业今 年资本支出估将达到537亿美元，预计2026年会进一步成长至613亿美元，年增达14%； NAND Flash资本支出今年预计约211亿美元，2026年预计小幅增长至222亿美元，年增约5% 。 TrendForce分析，在DRAM各供应商中，美光（Micron）被认为是最积极的厂商，估2026年 资本支出预计达135亿美元，年增23%，主要专注於1 gamma制程渗透和TSV设备建置；SK hynix的增幅也很显着，2026年预计为205亿美元，年增17%，以应对M15x的HBM4产能扩张 ；三星（Samsung）预计投入200亿美元、年增11%，用於HBM的1C制程渗透及小幅增加P4L 晶圆产能。 TrendForce指出，目前在无尘室空间也有不足供应的情况，检视所有DRAM供应商的产能空 间，仅有三星与SK hynix仍有小幅扩大产线的机会，美光则需等待其美国ID1新厂落成， 最快2027年才能有产出，因此任何後续上修的资本支出对2026的位元产出贡献皆非常有限 。 在NAND Flash各供应商中，TrendForce表示，Kioxia/SanDisk和YMTC因没有DRAM业务，被 认为是最积极扩大产能以巩固地位的厂商。Kioxia/SanDisk预计投入45亿美元，年增41% ，加速BiCS8生产并投资BiCS9研发；美光2026年目标是微幅增加NAND Flash产能，并专注 於G9制程和enterprise SSD业务，预计资本支出年增幅达63%；三星和SK Hynix/Solidigm 则将缩减或限制NAND Flash资本支出，优先将投资转向HBM和DRAM领域。 TrendForce分析，此次NAND Flash产业需求的爆发，主要受AI对储存容量需求的急速攀升 ，以及HDD供应不足导致云端服务供应商（CSP）转单所带动。此现象属於结构性短缺，而 非短暂的市场波动。然而，过去数年产业经历多次景气循环，使部分厂商在资本支出与扩 产策略上趋於保守。随着2026年资本支出重心放在制程升级和导入hybrid-bonding而非扩 产，将导致供应位元增幅有限，TrendForce认为，NAND Flash市场的供不应求状态预计将 延续2026年全年。 心得/评论： 记忆体今天虽然短期震荡 但拉长时间轴来看 仍然是缓步逐渐向上 投资人可以把握机会趁拉回的时候寻找买点 --

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