原文标题： 记忆体涨翻天！「这些人」的噩梦来了 专家曝背後恐怖风暴 原文连结： https://tw.news.yahoo.com/share/a4ebef1d-0829-380c-89de-e6523222f6e2 发布时间： 2025年11月11日 周二 上午10:14 记者署名： 东森财经 原文内容： AI需求带动供应链全面紧绷，全球记忆体市场掀起罕见缺货潮，动态随机存取记忆体（ DRAM）、快闪记忆体（NAND Flash）、到高频宽记忆体（High Bandwidth Memory，HBM） ，报价飙升，火势更延烧到工业电脑领域。前台积电工程师、具18年操盘经验的基金经理 人沈万钧今（11）日在《万钧法人视野 WJ Capital Perspective》粉专点出，在资本市 场一片欢腾的记忆体涨价潮中，下游厂商却陷入成本压力的恶梦。这一波记忆体缺货浪潮 ，真正可怕的并非「会缺」，而是「缺得太快」。 沈万钧观察，转折点出现在9月第二周。从原先终端厂商认为第四季需求疲弱、对圣诞档 期不抱希望，到大型云端服务供应商（Cloud Service Provider，简称CSP）突然对美光 （Micron）开出「不限量、不限价」的高频宽记忆体（High Bandwidth Memory，HBM）订 单，导致上游停止报价、供应链陷入混乱，价格一路飙升。 他写道：「各大采购开始紧张，看到有利可图的投机份子当然也想开始囤货，但这场风暴 来的太快，没有给大家太多时间去囤货，就像台语里说的『生食都无够，哪有通曝乾』， 终端厂商苦不堪言，这才是真的风暴。」 数据显示，至第三季为止，动态随机存取记忆体（DRAM）合约价年增幅高达171.8%，第四 季涨幅预估也从原本的8%至13%，上修至18%至23%，而且还「有机会再上修」。现货市场 的DDR5价格甚至一周内暴涨三成，模组大厂开始限量出货，「你就知道这不是短暂的情绪 ，而是显示结构性错位已经具体化在报价曲线上。」 沈万钧回顾这回报价机制被打乱的风暴，关键讯号是10月下旬起，韩国三星（Samsung） 率先延後DDR5合约报价，市场陷入「先停、再谈」的观望氛围，其他原厂跟进。随着合约 价失效，买家被迫转向更昂贵的现货市场，让终端成本进一步飙升。深圳、东莞市场出现 「一天一价」现象，8月起就能感受到全线记忆体颗粒往上走，9月之後涨势变陡；卖场、 群聊的报价单一天改好几次，零售端1TB固态硬碟（Solid State Drive，SSD）从人民币 398元涨至549元，对低毛利产品如机上盒与入门手机造成重创，「简直是致命一击。这不 是需求突然暴冲，而是上游产能被 AI 端锁走，留给消费端的出货被急速挤压。」 他指出品牌厂也开始正视压力。小米行销总监马志宇指出，明年最新成本预估「有点惊悚 」，特别是个人电脑（Personal Computer，PC）端首当其冲。韩媒与台媒同步报导，原 厂对2025年第4季记忆体（DRAM）与快闪记忆体（NAND Flash）报价在第四季恐上调逾30% ，「等於把2026年才该见到的价位，提前拉到今年年底的议价桌上。」 从供需逻辑来看，这波涨价非「循环自然回暖」，而是AI投资集中爆发所致。沈万钧写道 ：「上游3年投产偏保守，AI投资却在2024下半年至2025下半年集中爆发，由於AI伺服器 需大量高阶记忆体产品，云端服务供应商（Cloud Service Provider, CSP）扩资本资出 （CapEx）带动高频宽记忆体（HBM）、伺服器用模组（Registered DIMM，RDIMM）、企业 级固态硬碟（Enterprise SSD）的长约锁量，结果就是『产线切换到高附加价值 → 传 统 DDR4/通用NAND供给塌缩 → 消费端被动吃价』」，消费端只能被动承受高价。 TrendForce於11月5日的报告指出，现货市场出现「一出价就被扫」的紧供给现象，反映 涨价来自供应端压缩，而非需求带动的健康成长。 展望未来3至6个月，涨势虽可能放缓，但中期（1年内）仍难下跌。HBM与高密度记忆体的 良率与产能瓶颈尚未解决，DDR4回补亦需时间。整体来看，这场由AI掀起的「记忆体超级 周期（AI Memory Supercycle）」才刚开始。 心得/评论： 这次涨价的原因在於需求端（AI 带动云端服务扩张）突然暴冲，而供给端（记忆体产能、 技术切换）尚未跟上，这造成典型的「供给收缩 + 急速需求上升」局面，文中提到韩国三 星推迟DDR5合约报价，这意味着记忆体价格从原本比较可预测（被合约导向）转向较难预 测的状态。对於投资人而言，风险／潜在报酬都被放大。 --

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