原文标题： HBM 规格升级 NOR Flash 用量激增 旺宏传下季涨价三成 原文连结： https://money.udn.com/money/story/11162/9130684 发布时间： 2025/11/11 02:33:30 记者署名： 经济日报 记者李孟珊／台北报导 原文内容： 旺宏（2337）搭上AI催动记忆体升级大商机，随AI伺服器搭载的高频宽记忆体（HBM）规 格从HBM3E走向更高规的HBM4 ，由於HBM4堆叠层数增加，推升编码型快闪记忆体（NOR Flash）用量激增五成，使得NOR Flash供给开始出现紧张状况，主力供应商旺宏传因此调 高明年首季报价三成。 近期记忆体市场火热，DDR4、DDR5价格涨翻天，储存型快闪记忆体（NAND Flash）市场一 片向好，随着NOR Flash跟上涨价潮，更加确立产业景气欣欣向荣。 旺宏不回应市场传闻，董事长吴敏求昨（10）日出席「成电论坛」受访时强调，AI确实带 动记忆体市场向上，旺宏近期也感受到需求与价格走扬，尤其NOR Flash也大量用於伺服 器与资料中心，除了现阶段的主流产品512Mb，有开始出现1Gb至2Gb的高容量需求，对旺 宏有利。 外界以「进入超级循环周期」来形容记忆体市场现况，向来保守的吴敏求认为目前仍难断 言。他强调，价格确实在涨，也确实有缺货现象，但要说缺口多大、能维持多久，现在都 言之过早。 吴敏求分析，过去资料中心以CPU为核心，如今转向GPU架构後，运算效能大幅提升，各大 云端服务供应商（CSP）正展开资料中心改造计画，这波AI热潮能延续多久，仍需观察各 家投入AI的动能。 吴敏求透露，旺宏NOR Flash产品近期在伺服器与资料中心应用出现回温迹象，主要需求 集中在512Mb，也有1Gb至2Gb高容量需求，预期随着频宽扩大、资料传输速率提升，未来 3D NOR技术也将成为关键。 供应链指出，针对生成式AI、高效能运算（HPC）、高阶显卡和伺服器等需要高效处理大 型资料集和复杂运算的应用，HBM4的特性和功能至关重要。进一步来看，HBM4是目前HBM3 标准的进阶版，提高了资料处理速度，同时保持更高的频宽、更低的功耗，相较於HBM3， HBM4每个堆叠的通道数将增加一倍，因此实体占用空间更大。 随着AI伺服器搭载的HBM规格从HBM3E走向HBM4，堆叠层数增加的趋势下，推升市场对NOR Flash用量提升约50%，旺宏订单满手，将在明年首季调涨NOR Flash报价，涨幅上看三成 ，为业绩吞下大补丸。 业界认为，HBM4作为新一代HBM核心升级，系统性能提升之际，也为NOR Flash带来结构性 需求机会，旺宏作为全球主力NOR Flash供应商，直接受惠。 心得/评论： HBM3升级到HBM4 NOR FLASH用量激增5成，目前使得NOR FLASH供应也传出紧张 主力供应商旺宏传因此调高明年首季报价三成 一向保守的吴敏求也指出AI需求升级，使得旺宏有感受到近期需求及价格走扬 但对市场涨价传言不做回应，且强调，价格确实在涨， 也确实有缺货现象，但要说缺口多大、能维持多久，现在都言之过早 业界认为HBM3升级到HBM4，有助於NOR FLASH出现结构性需求的改变 旺宏为NOR FLASH主要供应商将受惠 --

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