原文标题：华邦电总座：记忆体结构性缺货将延续到2027年 原文连结：https://money.udn.com/money/story/5612/9119897 发布时间：2025-11-5 记者署名：简永祥 原文内容： 记忆体大厂华邦电总经理陈沛铭今日主持法说会，针对记忆体市场，提出最新的说明。他 说，当前记忆体市场正在经历一场结构性且重大的变革。主因DRAM的技术标准与先进制程 的冲突。他强调，一旦制程推进至DDR5 DRAM，就不可能回去生产DDR4或DDR3产品，从供 需结构，DDR5和DDR4或DDR3缺货潮，恐怕到2027年都不会改变。 陈沛铭表示，受惠於终端需求复苏、新制程推进，以及记忆体市场因技术迭代带来的结构 性供需失衡，华邦电 DRAM（CMS）业务创下过去三年的新高点。公司对第4季及未来长期 的成长前景表示乐观，预期营收、出货量和平均销售价格（ASP）都将迎来更大幅度的成 长，并回到正常的成长轨道。 陈沛铭说，华邦电子第3季在DRAM和Flash业务上，较第2季表现均有所成长。其中，DRAM 业务较第加达18%，较2024年同期增长更高达33%，这已是DRAM业务在过去三年中的最高点 。尽管年增率来看，DRAM的ASP仍有约十几个百分点的跌幅，但公司先前预告，DRAM业务 的最低点已经过去，目前正持续往上走。制程推进方面，20奈米制程已成为主要的成长动 能，出货量占总交货量的比例已达37%。20奈米产品线中，DDR4表现尤其亮眼，上季出货 量季增一倍，本季占比将持续提高。20奈米是华邦首度跨入DDR4领域的制程，表现不俗。 陈沛铭强调，当前记忆体市场正在经历一场结构性且重大的变革。主要的结构性问题在於 DRAM的技术标准与先进制程的冲突。传统的DDR3和DDR4标准在制定时，并未要求内建ECC （纠错码）功能。然而，当全球前三大DRAM供应商将制程推进到14奈米、13奈米甚至更精 密的制程时，极小的位元单元容易产生坏轨（bad bits），必须依靠ECC来补偿。 他强调， 由於JEDEC标准不支援DDR3/DDR4在这些先进制程上使用ECC，可预见三大厂的新 工厂和先进制程无法再回头生产DDR3或DDR4。 为满足HBM（高频宽记忆体）需求并充分利 用新制程，这些大厂被迫转向生产支援ECC的DDR5。这导致DDR4供应出现结构性缺口。 至於当前DDR5价格相对较低，一定会有一股力量要推动转换规格，但许多应用如旧有伺服 器、PC或锁定特定SoC规格的设备，仍需要持续供应DDR4。因此，许多客户正积极寻求与 能持续供货DDR4的厂商签订数年期的长期合约。华邦电认为，DDR4价格将持续上涨，这场 结构性改变将持续一段时间，甚至可能延续到2027年。 华邦电今日也公布2025年第3季财报，单营收217.71亿元，季增3.6%、年增2.15%；毛利率 46.7%，季增24.03个百分点、年增17.38个百分点，单季纯益29.39亿元，终结连四季亏损 ，每股纯0.65元，并一举将上半年每股亏损0.53元全数弥补转盈。 心得/评论： 焦师傅喊记忆体看到2027年 之前这样各产业喊看到202X年的 各位印象中最後真的有延续下去的吗？ 又是考古题？？？？？ --

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