原文标题：AI驱动记忆体晶片超级周期来临！三星、SK海力士DRAM与HBM业绩大幅增长 原文连结：https://news.cnyes.com/news/id/6214385 发布时间：2025/11/2 记者署名： 原文内容： 摩根士丹利研报指出，受人工智慧（AI）需求驱动，记忆体晶片行业供需失衡加剧，预计 将开启持续数年的「超级周期」，到 2027 年全球储存市场规模有望突破 3,000 亿美元 ，标志着新一轮产业周期的起点。 记忆体晶片历经近 13 年的周期性波动，每 3 至 4 年呈现一轮周期，目前正处於第四轮 。 前三轮由智慧型手机换机潮、3D NAND 产能转移及疫情带动的远端办公需求所推动，而每 轮高峰後均因供过於求或需求下降出现价格下滑。 自 2024 年起，AI 算力基建及 HBM 技术革命成为记忆体晶片市场的新动力，企业级 AI 资本支出成为主要需求来源，推动 HBM、DDR4/DDR5 及企业级 SSD 等市场大幅增长。 在此趋势下，三星与 SK 海力士等产业龙头展开新一轮激烈竞争，业绩迎来高速成长。 根据三星公布的第三季初步财报，2025 年第三季度营业利润达 12.1 万亿韩元，与去年 同期相比增长 31.81%，与前期相比大增 158.55%，创下自 2022 年第二季度以来的新高 。销售额达 86 万亿韩元，也刷新历史纪录。 SK 海力士第三季同期营业利润突破 10 万亿韩元大关，达 11.38 万亿韩元，与去年同期 相比增长 62%；营收 24.45 万亿韩元，与去年同期相比增长 39%；净利 12.598 万亿韩 元，三项核心指标均创历史新高。HBM 及高阶 DDR5 产品成为业绩增长核心驱动力。 据悉，双方已通知客户，2025 年第四季度 DRAM 及 NAND Flash 合约或现货价格将调涨 约 30%，以应对 AI 及云服务带来的高需求。 DRAM 市场格局：SK 海力士首度超越三星 2025 年第一季度，SK 海力士以 36.9% 的市占率首度超越三星，终结其 33 年 DRAM 霸 主地位，使 DRAM 市场格局正式进入双雄争霸的全新阶段。 第二季度 SK 海力士市占率进一步升至 39.5%，与三星的差距扩大至 6.2 个百分点。第 三季度财报显示，SK 海力士 DRAM 营收与前期相比增长 11%，与去年同期相比增长 54% ，以 35% 的占有率连续三季度稳居全球第一。 尽管在整体储存市场上三星略领先，但 SK 海力士在 HBM 市场仍占据主导地位，市场占 有率高达 58%，第三季度 DRAM 销售额中 HBM 占比达 40%。 公司计划第四季度开始交付次世代 HBM4 产品，并已锁定 2026 年 DRAM 及 NAND 产能需 求，预计出货量与去年同期相比增长超 20%，HBM 供应紧张将持续至 2027 年。 技术竞赛：High NA EUV 曝光机成新焦点 High NA EUV 曝光机为新一代晶片制造关键技术，可提供 1.7 倍精细电路图案及 2.9 倍 电晶体密度，提升 40% 光学精度，开启了半导体产业的下一章。 据悉，三星已购置 5 台 High NA EUV 曝光机，其中 2 台部署於半导体代工部，其余专 供储存部门。SK 海力士也将首款量产型 High NA EUV 引进韩国利川工厂。 在 DRAM 技术方面，SK 海力士已成功开发第六代 10nm 1c 制程 DDR5 DRAM，并在 HBM 及 DDR5 产品中应用 EUV 曝光机，提高良率与性能。 市场消息称，SK 海力士 1c DRAM 良率已达 80%-90%，为未来 High NA EUV 使用奠定基 础。 然而，三星第六代 1c DRAM 在 HBM4 上良率约 50%，仍在开发中。 与此同时，美光 (MU-US) 则采取不同策略，结合 EUV 与 DUV 技术逐步推进 10nm 以下 DRAM 制程，并计划直接进入 9nm 制程。 AI 合作带动 HBM 需求：OpenAI 星际之门计划 此外，三星与 SK 海力士已与 OpenAI 签署合作协议，成为「星际之门」（Stargate）全 球 AI 基础设施项目的核心合作夥伴。 该计划将建设 20 个 AI 数据中心，初始容量 20 兆瓦，支援 ChatGPT 等大型 AI 模型 运行。为满足高频宽需求，HBM3E 记忆体频宽可达 3.35TB/s，GPU 集群效率提升 30%， 延迟降低 20%。 双方将扩大记忆体产能，目标每月生产 90 万片 DRAM 晶圆，为现有全球产能的两倍，这 代表着新 HBM 工厂建设势在必行，同时可能压缩标准 DRAM 产量，因为 HBM 利润更高。 心得/评论： 台股光辉11月 行情全面启动！ 记忆体行业供需失衡加剧，引爆超级周期，现在只是刚开始 记忆体卖一片赚一片，未来只能透过长约订晶片 --

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