原文标题：慧荣苟嘉章：三大厂DRAM、NAND全被扫光 明年一整年都缺货 ※请勿删减原文标题 原文连结： https://udn.com/news/story/7240/9111409 ※网址超过一行过长请用缩网址工具 发布时间： 2025-11-01 18:31 联合报 ※请以原文网页/报纸之发布时间为准 记者署名： 简永祥 ／台北即时报导 ※原文无记载者得留空 原文内容：与各大记忆体厂紧密合作的慧荣科技总经理苟嘉章今（1）日受访表示，随着人 工智慧（AI）应用大举扩张，全球记忆体产业正面临一场结构性、长周期缺货。他透露，三 大DRAM原厂SK海力士、三星和美光；NAND记忆体供应商除三大厂外，包括铠侠、大陆长江存 储等，产能已全被扫光，市场缺口由原本预估七、八成扩大到一倍，虽然其中有重覆下单情 况，但因供给缺口大到无法想像，因此缺货问题明年绝对无法解决，恐怕要到2027年下半年 才见转机。 苟嘉章是在出席台北圆山花博公园举行的年度公益园游会时，针对记忆体市况提出上述最新 的看法。 苟嘉章强调，从 SK海力士已公布的「2026年产能全数销售」，印证这波DRAM需求真的非常 强劲，价格飙涨是可预期的事。他并指出此波缺货非单纯「暂时供应紧张」，而是供需节奏 与产能布局同步错位。 苟嘉章说，记忆体供应链一度因手机、消费性电子需求疲弱而压力重重，然而，随着AI（人 工智慧）训练与推论架构的爆炸式成长，记忆体需求瞬间转向。「储存容量+高频宽」成为 新基础设施——不仅是 HBM（高频宽记忆体）被急抢，连传统DRAM、NAND也因为资料中心 与近端储存需求而显着拉升。 例如，SK海力士就指出，其DRAM、HBM与NAND 2026年全部产能已被客户预订，且「供应成 长将无法追上需求加速」成为SK海力士定位此轮缺货为「超周期」的关键。 苟嘉章进一步说，除了HBM 这种高阶产品受瞩目外，传统DRAM与NAND的供应亦出现瓶颈。 由於大型厂商将更多资源从成熟节点转向AI专用记忆体产线，导致一般用途的记忆体供给被 压缩。以伺服器用 DDR5 为例：部分订单只能达成约70%的交货比例。 此外，NAND 供应紧张也被业内人士预估可能不止一年、两年，而是拉长至 十年之久。 随着供应吃紧，价格迅速上升。资料中心、伺服器模组商等下游客户面临严重交期延迟与成 本压力。根据Tom’s Hardware 报导：伺服器用DRAM模组2025 年第4季价格涨幅已达50% ，部分供应商供应率降至 70%。 另外，由於客户为抢料，提前下单、重复下单 (double booking) 的现象增多，使得产能 分配更加复杂。他认为这种不透明的订单行为可能引发资源浪费与市场混乱。 苟嘉章强调，在这场供应链再洗牌中，大型记忆体晶片厂与资料中心、云端服务商是最大受 益者，SK海力士 、三星等厂商受惠於价格上涨与长约签订，盈利能力明显提升。 反之，中小模组厂、低阶终端装置与车用应用则是弱势群体。由於采购量低、议价能力弱， 这些企业可能面临抢料无门、成本大增，甚至需降规格以维持产能。消费性市场亦可能因此 出现低阶版本记忆体容量下调、售价上涨的情况。 台湾作为全球记忆体模组及代工重镇，正站在这波缺货的前端。模组厂商如Kingston、威刚 、创见等皆面临储存元件供应变化。虽然机会存在，但若无法取得关键产能与订单保证，中 小模组厂恐被边缘化。 此外，车用与工业用记忆体需求虽尚未完全释放，但若缺货延续，这些後段应用亦将受到波 及。 苟嘉章分析，这波记忆体缺货并非短期现象。有观点指出，传统DRAM或在2027 年後开始回 稳，但NAND与高容量储存需求可能会持续至2028年、甚至更久。 心得/评论： 记忆体这两年到三年 缺口大到难以想像 甚至为了抢料疯狂下单 但记得中小型模组厂还是有机会边缘化 选股还是得看好一些产业分析的小细节 ※必需填写满30正体中文字，无意义者板规处分 -- Sent from my iPhone 15 Pro Max ○ PiTT // PHJCI --

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