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标题[新闻] 三星宣布 NAND Flash 产线导入 FinFET 制
时间Fri Oct 24 20:59:33 2025
原文标题：
三星宣布 NAND Flash 产线导入 FinFET 制程
原文连结：
https://bit.ly/4ouC8Di
发布时间：
2025 年 10 月 23 日 13:50
记者署名：Atkinson
原文内容：
三星电子近日宣布一项重大技术突破与未来愿景，就是计划将鳍式场效电晶体（FinFET）
制程技术应用於 NAND Flash 快闪记忆体生产上。此动作被解读为三星为因应人工智慧（
AI）晶片组对更大容量 NAND Flash 快闪记忆体的需求所做的准备。不过，这项技术属於
未来技术，实际应用仍需一段时间。
SEDEX 2025，三星DS部门技术长 Song Jae-hyuk 进行主题演讲时表示，致力技术创新，
目标是在电晶体必须堆叠的单位面积内，实现客户所期望的性能和功率。当中，FinFET技
术正是这项创新战略的核心之一。FinFET是一种3D结构的制程技术，由於其结构类似鱼鳍
（Fin），因此得名FinFET。其三星导入该技术的主要目的，就是为了克服传统平面（2D
）结构的限制。
FinFET主要用於晶圆代工（Foundry），预计搭载3D DRAM。这次三星宣布将FinFET应用於
NAND Flash快闪记忆体的计画，是产业界的首次。而半导体界普遍认为，一旦FinFET应用
於NAND Flash快闪记忆体，与现有的记忆体相较，密集度（Integration density）将大
幅提升。而且，在密集度越高的情况下，就能够在越小的空间内能容纳越多的元件，进一
步显着提高性能。
三星指出，高密集度带来的优势还涵盖多个方面。包括信号传输速度加快、功耗降低，同
时晶片尺寸缩小，有助於更有效地利用空间。换言之，与现有的平面制程相较，采用
FinFET制程的的NAND Flash快闪记忆体不仅容量更大，速度也将更快。
心得/评论：
三星电子因为设备更新 制程转移导致旧制程减产
专注於1c DRAM量产用於HBM4 12层
产能分配也是以DRAM为主压缩到NAND Flash产线
现在NAND Flash又要导入FinFET制程
再加上全球狂盖AI资料中心
所以DRAM和NAND Flash价格狂飙
也难怪之前群联执行长潘健成喊出NAND Flash缺货潮将延续10年之久
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1F：→ gtaped05550 : 群联会跌停吗 10/24 21:00
2F：推 truelove356 : 有平行展开给中国吗 10/24 21:01
3F：推 ms0472677 : 怎麽会跌停？ 怎麽看现阶段都是超大利多 10/24 21:04
4F：嘘 pongp0416 : 啊哈哈哈 记忆体搞笑蛙会成为28000最惨祭品 10/24 21:07
5F：嘘 deepdish : 弯道超车又来罗 10/24 21:07
6F：→ mini178 : 8299 上一千 千元记忆体股 嘻嘻 10/24 21:08
7F：推 llll1 : 铠侠和闪迪这两天涨了20%…群联周一还跌停不太可能 10/24 21:08
8F：→ llll1 : 吧 10/24 21:08
9F：→ Feting : 这跟群联跌停或是又弯道超车有什麽鸟关系 10/24 21:19
10F：推 jimzero514 : 大火暴口贲 10/24 21:20
11F：推 chehsien : 群联直接两根涨停吧 10/24 21:24
12F：推 patri0052 : 鳍式gg玩剩的 ㄎˉㄎ 10/24 21:29
13F：推 wiki67la : 记忆体在喷一波了，别被酸民吓到卖飞 10/24 21:29
14F：→ TaiwanUp : 意思是韩国要做高阶 低阶的跟涨吗 10/24 21:31
15F：→ xerioc5566 : 宣布 计划 慢慢吹 10/24 21:31
16F：推 jht : 跟我想的一样XD 10/24 21:32
17F：推 Gipmydanger : 九弯十八拐 10/24 21:39
18F：推 roseritter : FanFET没搞头吗 10/24 21:40
19F：→ pns215 : 散户不相信群联，不相信三星海力士美光这些业界大佬 10/24 21:45
20F：→ pns215 : ，相信自己的继续被轧 10/24 21:45
22F：推 zoo8888 : 满手潘蛇喷吧 10/24 22:12
23F：推 tissot : 8112有没有机会喷一下 10/24 22:13
24F：推 g27834618 : 还继续用惨业看待记忆体 真的赚不到这大鱼尾 10/24 22:24
25F：推 kay52612 : 群联 掰 10/24 22:27
26F：推 guestwhat : 翻译 现在这麽东西没有用 10/24 22:33
27F：→ lycjjh : 为什麽群联会跌停？ 10/24 22:56
28F：推 for767 : 因为散户持股人数续减吧！卖飞了赚不到後面的飙升段 10/25 00:24
29F：→ for767 : ，只好碎碎念会跌停 10/25 00:24
30F：推 vincent14 : 这跟台厂记忆体有关系吗 10/25 01:05
31F：→ z7956234 : 老话一句，看空的人看什麽都是空 10/25 01:16
32F：推 MKT1224 : 离应用还远 10/25 01:19
33F：推 Lyon718 : 涨停比较有可能== 10/25 01:23
34F：推 lusifa2007 : 群联可以买 其他做人家不要没技术的别追高 10/25 01:29
35F：推 CRonaldo07 : 群联涨输华邦电跟南亚科… 10/25 01:32
36F：推 bear753951 : 日本nand原厂铠侠直接喷20%，只能说没有涨停就赶快 10/25 01:32
37F：→ bear753951 : 买，等出关绝对又是涨到被关 10/25 01:32
38F：推 aegis43210 : 用Fin，成本上昇，三星看起来压力很大，性能上不想 10/25 03:02
39F：→ aegis43210 : 再输海力士了 10/25 03:02
40F：推 egghan : 还是没人解释为何群联要跌停 10/25 03:13
41F：嘘 brian10207 : 不跟南亚科完ddr4 南亚喷 10/25 03:36
42F：→ aewul : 早晚应抢到市占，让半导体议价从独占变成完全竞争 10/25 04:26
43F：推 TFBF : CBA时代 周边电路要用到finfet喔 10/25 05:03
44F：推 roseritter : 用CBA的话 上下都是FinFET 做好直接黏 有意思 10/25 09:31
45F：推 ohimvickey : 看来上面一堆人买群联 10/25 12:29
46F：嘘 pf775 : 台积电屌打 10/25 20:21