原文标题： 英特尔、软银成立新公司 Saimemory，拚 2027 年打造 HBM 替代方案 原文连结： https://technews.tw/2025/06/02/intel-and-softbank-hbm-ai-data-centers/ 发布时间： 2025 年 06 月 02 日 10:55 记者署名：林 妤柔 原文内容： 英特尔与软银合作，将开发可取代高频宽记忆体（HBM）的堆叠式 DRAM 解决方案。据日 经报导，两间产业巨头成立一间名为「Saimemory」的新公司，将基於英特尔技术与东京 大学等日本学术界的专利，共同打造原型。 该公司目标是 2027 年前完成原型设计并评估量产可行性，力拚 2030 年前实现商业化。 目前大多数 AI 处理器皆使用 HBM 晶片，这类晶片非常适合暂存 AI GPU 所处理的大量 资料，但由於 HBM 制程相对复杂、成本高昂，且容易过热、耗电较多。 据报导，这项合作将利用英特尔和东大分别拥有的先进技术，开发低耗电且低成本的新一 代记忆体，透过堆叠 DRAM 晶片、优化连接方式，达到比现行的先进记忆体至少储存容量 大一倍、耗电量减少 40%，并大幅降低成本。据悉，这款堆叠式 DRAM 晶片耗电量可望比 同级 HBM 减半。 软银将为这家新公司最大股东，出资约 30 亿日圆，该公司计划初期研发的经费约 150 亿日圆。 若这项技术成功，软银希望优先取得这些晶片的供应权。目前全球仅有三星、SK 海力士 与美光三间公司能生产最新一代 HBM 晶片。由於 AI 晶片需求旺盛，HBM 供应持续吃紧 ，Saimemory 希望藉由这项替代产品，抢攻至少日本资料中心的市场。此外，这也是日本 20 多年来首度力图重返记忆体晶片主要供应国之列。 日本厂商在 1980 年代曾一度垄断全球约七成记忆体供应，但随着韩国与台湾厂商崛起， 日本业者逐渐被市场边缘化。 这并非首次有半导体公司尝试 3D 堆叠式 DRAM 技术。三星早在去年已宣布推出 3D 堆叠 式 DRAM，另一间公司 NEO Semiconductor 也正开发名为 3D X-DRAM 的新技术。然而， 这些方案主要着眼於提升单一晶片的容量，目标为打造 512GB 的大容量记忆体模组。相 较之下，Saimemory 则聚焦於降低耗电量，这对电力需求年年攀升的 AI 资料中心来说， 无疑是迫切的新解方。 心得/评论： 英特尔居然要跟软银合作3D DRAM进军记忆体市场 但是三星预计在2025年推出VCT技术的3D DRAM https://images2.imgbox.com/e8/01/xU5aLqaG_o.jpg 所以不看好 不过跟软银合作成本可以分摊 --

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