原文标题： 半导体中心携手旺宏 开发新型3D DRAM布局AI晶片 原文连结： https://money.udn.com/money/story/5612/8570085 发布时间： 2025/02/25 12:36:37 记者署名： 中央社 记者张瑷台北25日电 原文内容： 国研院半导体中心今天表示，与旺宏电子合作开发出新型3D动态随机存取记忆体（3D DRAM）雏形，具体积小、高频宽、能耗低、耐用度高等优势，是全世界最早开发出此种新 型3D DRAM的团队之一，布局未来5年至10年的前瞻技术需求，有望成为AI晶片的HBM记忆 体首选。 人工智慧（AI）晶片需要进行大量、快速的资料运算，在现在的AI晶片整体架构中，是利 用半导体封装技术，将2D平面制作的动态随机存取记忆体（DRAM）层层堆叠及串连在一起 ，制作高频宽记忆体（HBM）。 然而，记忆体的频宽仍受到封装技术上的限制，加上现有DRAM耗能也高，增加AI晶片的总 耗电量，因此，如何制造出更高频宽、即传输讯号更快，更高密度、即更大容量，且更低 耗能的HBM，成为目前全世界各研发单位及记忆体大厂的主轴研发方向。 国科会辖下国家实验研究院台湾半导体研究中心今天召开记者会宣布，与台湾记忆体制造 大厂旺宏电子公司合作，成功开发出新型3D DRAM雏形及结构。 国研院半导体中心研究员杨智超说明，这一新型3DDRAM，不使用传统记忆体中体积较大的 电容，而是以2颗氧化铟镓锌（IGZO）电晶体串联而成，可将0与1的讯号储存在2颗电晶体 之间；这种无电容的新型结构设计，让记忆体尺寸变得更小，因而在进行3D堆叠时能更紧 密，也消除电容造成读写速度慢及耗能高的缺点。 杨智超指出，此新型3D DRAM除应用半导体中心「积层型3D晶片制程服务平台」，另一项 技术重点是透过旺宏电子的Bit-Cost Scalable专利制程技术，先将许多层记忆体的电流 通道做垂直堆叠，再利用一次性的蚀刻，将记忆体单元阵列制作出来，大幅减少3D堆叠记 忆体的制程步骤，节省制作时间、降低成本。 现阶段AI晶片处理大量资料时，会面临传输塞车的瓶颈，杨智超表示，这一新型高密度、 高频宽3D动态随机存取记忆体，可大幅度提升资讯传输与处理的速度，有望成为AI晶片的 HBM记忆体首选，好比在原本仅有一座中央电梯的摩天大楼中，每一层楼都加装手扶梯， 有效缩短访客抵达目标楼层的时间。 杨智超也提到，目前全世界仅有数个顶尖研究团队提出此种3D DRAM的雏形及结构，均仍 在实验阶段，且主要是为了布局未来5年至10年的前瞻技术需求，半导体中心与旺宏电子 的合作成果，未来若顺利导入量产，台湾将能在全世界建立起领先的地位。 心得/评论： 国研院表示与旺宏合作开发出新的3D DRAM雏形 具体积小、高频宽、能耗低、耐用度高等优势，有望成为AI晶片HBM记忆体首选 这一类型的3DDRAM让记忆体尺寸变小，也可以消除电容造成读写速度慢及耗能高的缺点 虽然目前仍在实验阶段，主要布局在未来5-10年的前瞻技术需求 如果能成功量产，台湾及旺宏将可以建立领先的地位 --

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