原文标题： SRAM密度较高下 美科技网站：台积电N2远胜英特尔18A 原文连结： https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/4884370 发布时间： 2024/12/05 06:20 记者署名： 编译魏国金／台北报导 原文内容： 美国科技网站Tom's Hardware报导，台积电的2奈米（N2）制程在静态随机存取记忆体（ SRAM）的密度上优於英特尔的1.8奈米（18A）制程。根据2025国际固态电路研讨会（ 2025 ISSCC）先进计画，英特尔的18A SRAM密度大幅低於台积电的N2，较接近台积电的3 奈米（N3），不过，相较台积电的N2，英特尔的18A可能仍有其他重要优势。 报导说，英特尔18A制程的特点是具有 0.021 μm^2 的高密度 SRAM 位单元尺寸（因此达 成约 31.8 Mb/mm^2 的 SRAM 密度），这与台积电N3E与N5提供的一致。相较之下，台积 电N2制程技术将 HD SRAM 位单元尺寸缩小至 0.0175 μm^2 左右，使 SRAM 密度达到 38 Mb/mm^2。 18A与N2都依赖环绕式闸极（GAA）电晶体，但有别於英特尔，台积电成功缩小其高密度 SRAM位单元尺寸。不过应该注意的是，除了SRAM的位单元大小外，SRAM的一个关键特性是 其功耗，目前并不真正知道在此指标上，18A与N2如何比较。 SRAM密度是最难以用现代制程技术微缩的东西之一，因为这涉及复杂的设计、对稳定性与 可靠性的操作要求，以及在较小节点上增加可变性。换言之，一些现代技术相较於其他制 程节点，有较大的SRAM单元尺寸，并不足为奇。 心得/评论： intel一直声称18A在2025量产 并且目前进度一切顺利 预期新CEO上台会有一波拉升 希望是台湾人，如果是印度.... 当然除了制造方面，设计似乎也有问题 这都是要考虑进去的 -- 「我看不到」 「欸 我真的看不到」 「 」 「我还是什麽都看不到啊...」 「我看不到我看不到我看不到!」 --

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